IGZO - METHOD OF HIGH PURITY INDIUM-GALLIUM COLLECTING FROM IGZO WASTE TARGER

• Main Authors: PARK JUNG WON, KWON, JUN BEOM
• Format: Patent
• Language: English; Korean
• Published: 29.06.2023
• Subjects: APPARATUS THEREFOR; CHEMISTRY; ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES; FERROUS OR NON-FERROUS ALLOYS; METALLURGY; PRETREATMENT OF RAW MATERIALS; PROCESSES FOR THE ELECTROLYTIC PRODUCTION, RECOVERY ORREFINING OF METALS; PRODUCTION AND REFINING OF METALS; TREATMENT OF ALLOYS OR NON-FERROUS METALS

Provided is a method for collecting high-purity indium-gallium from an IGZO waste target. The method for collecting high-purity indium-gallium from an IGZO waste target comprises: a step of adding an acid solution to waste target powder made of mixture of indium (In), gallium (Ga), and zinc (Zn), and manufacturing a leaching solution; a step of collecting high-purity indium (In) from the leaching solution; a step of adding an extraction solvent to the residual leaching solution, from which the indium (In) is separated, and adjusting the pH to be an acid level, and collecting the manufactured gallium (Ga)-zinc (Zn) oxide; a step of adding the gallium (Ga)-zinc (Zn) oxide to an alkaline aqueous solution, and manufacturing gallium (Ga)-zinc (Zn) electrolytic solution; and a step of applying electricity to the gallium (Ga)-zinc (Zn) electrolytic solution, and collecting high-purity gallium (Ga). The step of collecting high-purity indium (In) includes: a first indium collection step to add zinc (Zn) to the leaching solution, and collecting a first indium having a converted first purity; and a second indium collection step to collect a second indium having a second purity from a negative pole by using the first indium as a positive pole from the indium electrolytic solution manufactured by adding an electrolytic solvent. The second purity of the second indium can be higher than the first purity of the first indium. Therefore, high-purity indium and high-purity gallium can be sorted and collected. IGZO 폐타겟으로부터 고순도의 인듐-갈륨 회수 방법이 제공된다. 상기 IGZO 폐타겟으로부터 고순도의 인듐-갈륨 회수 방법은, IGZO 폐타겟으로부터 고순도의 인듐-갈륨 회수 방법에 있어서, 인듐(In), 갈륨(Ga) 및 아연(Zn)의 혼합물로 이루어진 폐타겟 분말에 산성용액을 첨가하여 침출용액을 제조하는 단계; 상기 침출용액으로부터 고순도의 인듐(In)을 회수하는 단계; 인듐이 분리된 잔여 상기 침출용액에 추출용매를 첨가하여 ph를 산성으로 조절하여 제조된 갈륨-아연 산화물을 회수하는 단계; 상기 갈륨-아연 산화물을 염기성 수용액에 첨가하여 갈륨-아연 전해용액을 제조하는 단계; 및 갈륨-아연 전해용액에 전기를 인가하여 고순도의 갈륨(Ga)을 회수하는 단계;를 포함하되, 상기 고순도의 인듐을 회수하는 단계는, 상기 침출용액에 아연(Zn)을 추가한 후 치환된 제1 순도를 갖는 제1 인듐을 회수하는 제1 인듐회수단계; 및 전해용매를 첨가하여 제조된 인듐전해용액으로부터 상기 제1 인듐을 양극으로 이용하여 음극에서 제2 순도를 갖는 제2 인듐을 회수하는 제2 인듐회수단계;를 포함하고, 상기 제2 인듐의 상기 제2 순도는 상기 제1 인듐의 상기 제1 순도보다 높을 수 있다.