FERROELECTRIC OXIDE- AND FERROELECTRIC MONOCHALCOGENIDE-BASED CAPACITORS

• Main Authors: GOSAVI TANAY A, YOUNG IAN ALEXANDER, LI HAI, PENUMATCHA ASHISH VERMA, PLOMBON JOHN J, OGUZ KAAN, NIKONOV DMITRI EVGENIEVICH, LIN CHIA CHING, CHANG SOU CHI, AVCI UYGAR E
• Format: Patent
• Language: English; Korean
• Published: 26.06.2023
• Subjects: ELECTRICITY

A first type of ferroelectric capacitor comprises an electrode and an insulating layer comprising a ferroelectric oxide. In some embodiments, the electrode and insulating layer comprise a perovskite ferroelectric oxide. A second type of ferroelectric capacitor comprises a ferroelectric insulating layer comprising a prescribed monochalcogenide. Both types of ferroelectric capacitors can have coercive forces of less than 1 volt. These capacitors are attractive for use in low-voltage non-volatile embedded memories for next-generation semiconductor manufacturing technologies. 제1 유형의 강유전성 커패시터는 전극 및 강유전성 산화물을 포함하는 절연층을 포함한다. 일부 실시예에서, 전극 및 절연층은 페로브스카이트 강유전성 산화물을 포함한다. 제2 유형의 강유전성 커패시터는 소정의 모노칼코게나이드를 포함하는 강유전성 절연층을 포함한다. 두 유형의 강유전성 커패시터는 1볼트 미만인 보자력을 가질 수 있다. 이러한 커패시터는 차세대 반도체 제조 기술을 위한 저전압 비휘발성 임베디드 메모리에 사용하기에 매력적이다.