Process gas supplying unit and substrate treating apparatus including the same

• Main Authors: LEE KYOUNG RAE, CHANG LOUNG SUE, LEE SUN RYUM, JEON SEUNG HOON, YANG JUNG YOON, LIM IN SEONG
• Format: Patent
• Language: English; Korean
• Published: 26.06.2023
• Subjects: BASIC ELECTRIC ELEMENTS; ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS; ELECTRICITY

Provided are a process gas supplying unit for uniformly providing process gas to each area of a substrate, and a substrate treating apparatus including the same. The substrate treating apparatus comprises: a housing; a second electrode which is placed inside the housing and supports a substrate; a first electrode which is placed inside or outside the housing and faces the second electrode; a process gas supplying unit which provides process gas to the inside of the housing; and a plasma generating unit which generates plasma in the inside the housing by using a first high frequency power connected to the first electrode and a second high frequency power connected to the second electrode when the process gas is supplied. The process gas supplying unit comprises: an injection nozzle which is installed on an inside wall of the housing and injects the process gas; and a rotation control unit which is installed on an outside wall of the housing, connected to the injection nozzle through a hole formed by penetrating the inside wall of the housing, and rotates the injection nozzle. 공정 가스를 기판 상의 각 영역에 균일하게 제공하기 위한 공정 가스 공급 유닛 및 이를 포함하는 기판 처리 장치를 제공한다. 상기 기판 처리 장치는, 하우징; 하우징의 내부에 배치되며, 기판을 지지하는 제2 전극; 하우징의 내부 또는 외부에 배치되며, 제2 전극과 대향하는 제1 전극; 하우징의 내부로 공정 가스를 제공하는 공정 가스 공급 유닛; 및 공정 가스가 제공되면 제1 전극과 연결되는 제1 고주파 전원 및 제2 전극과 연결되는 제2 고주파 전원을 이용하여 하우징의 내부에 플라즈마를 발생시키는 플라즈마 생성 유닛을 포함하며, 공정 가스 공급 유닛은, 하우징의 내측벽에 설치되며, 공정 가스를 분사하는 분사 노즐; 및 하우징의 외측벽에 설치되며, 하우징의 내측벽을 관통하여 형성된 홀을 통해 분사 노즐과 연결되고, 분사 노즐을 회전시키는 회전 제어부를 포함한다.