갈륨계 Ⅲ-N 합금층의 에피택셜 성장을 위한 기판 제조 방법

• Main Author: GUIOT ERIC
• Format: Patent
• Language: Korean
• Published: 12.06.2023
• Subjects: BASIC ELECTRIC ELEMENTS; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; ELECTRICITY; SEMICONDUCTOR DEVICES

본 발명은 하기의 연속적인 단계를 포함하는, 질화 갈륨(GaN), 질화 알루미늄 갈륨(AlGaN) 또는 질화 인듐 갈륨(InGaN)의 층의 에피택셜 성장을 위한 기판을 제조하는 방법에 관한 것이다: - 단결정 탄화 규소의 적어도 하나의 층(10, 51)을 포함하는 베이스 기판을 제공하는 단계; - 도너 기판을 형성하기 위해 단결정 SiC층(10, 51) 상에서 1 μm보다 두꺼운 두께를 갖는 반절연 SiC층(11)을 에피택셜 성장시키는 단계; - 전달될 단결정 반절연 SiC의 박층(12)을 규정하는 취약 구역(13)을 형성하기 위해...