갈륨계 Ⅲ-N 합금층의 에피택셜 성장을 위한 기판 제조 방법

• Main Author: GUIOT ERIC
• Format: Patent
• Language: Korean
• Published: 12.06.2023
• Subjects: BASIC ELECTRIC ELEMENTS; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; ELECTRICITY; SEMICONDUCTOR DEVICES

본 발명은 하기의 연속적인 단계를 포함하는, 질화 갈륨(GaN), 질화 알루미늄 갈륨(AlGaN) 또는 질화 인듐 갈륨(InGaN)의 층의 에피택셜 성장을 위한 기판을 제조하는 방법에 관한 것이다: - 단결정 탄화 규소의 적어도 하나의 층(10, 51)을 포함하는 베이스 기판을 제공하는 단계; - 도너 기판을 형성하기 위해 단결정 SiC층(10, 51) 상에서 1 μm보다 두꺼운 두께를 갖는 반절연 SiC층(11)을 에피택셜 성장시키는 단계; - 전달될 단결정 반절연 SiC의 박층(12)을 규정하는 취약 구역(13)을 형성하기 위해 이온 종들을 반절연 SiC층(11)에 주입하는 단계; - 반절연 SiC층(11)을 높은 전기 저항을 갖는 리시빙 기판(20)에 직접 접착하는 단계; - 단결정 반절연 SiC의 박막(12)을 리시빙 기판(20)으로 전달하기 위해 취약 구역(13)을 따라 도너 기판을 분리하는 단계. A method of fabricating a substrate for epitaxial growth of a layer of gallium nitride (GaN), aluminum gallium nitride (AlGaN) or indium gallium nitride (InGaN), comprises the following successive steps:providing a base substrate comprising at least one layer of single-crystal silicon carbide,performing epitaxial growth of a layer of semi-insulating SiC having a thickness larger than 1 μm on the layer of single-crystal SiC to form a donor substrate,implanting ionic species into the layer of semi-insulating SiC so as to form a weakened region defining a thin layer of single-crystal semi-insulating SiC to be transferred,bonding the layer of semi-insulating SiC directly to a receiver substrate having a high electrical resistivity, anddetaching the donor substrate along the weakened region so as to transfer the thin layer of single-crystal semi-insulating SiC to the receiver substrate.