NON-VOLATILE MEMORY DEVICE AND METHOD OF OPERATION THEREOF

• Main Authors: LEE YONG KYU, PARK HYUN IK, LEE JAE HUN, JEON CHANG MIN
• Format: Patent
• Language: English; Korean
• Published: 08.06.2023
• Subjects: INFORMATION STORAGE; PHYSICS; STATIC STORES

The present invention relates to a non-volatile memory device. The non-volatile memory device according to the present invention comprises: a memory cell which stores one of first data and second data, and includes a first sub-memory cell connected to a first word line and a first bit line, and a second sub-memory cell connected to a second word line and a second bit line; a source line shared by the first sub-memory cell and the second sub-memory cell; and a sense amplifier connected to the first bit line and the second bit line to read data stored in the memory cell. The sense amplifier receives a first current from the first bit line, receives a second current from the second bit line, and reads data stored in the memory cell by comparing the magnitudes of the first current and the second current. The first sub-memory cell is programmed, and the second sub-memory cell is erased in response to the memory cell storing the first data. A non-volatile memory device with increased performance and reliability may be provided. 본 발명은 비휘발성 메모리 장치에 관한 것이다. 본 발명의 비휘발성 메모리 장치는 제1 데이터와 제2 데이터 중 어느 하나를 저장하는 메모리 셀로서, 메모리 셀은 제1 워드 라인 및 제1 비트 라인과 연결되는 제1 서브 메모리 셀과, 제2 워드 라인 및 제2 비트 라인과 연결되는 제2 서브 메모리 셀을 포함하는 메모리 셀, 제1 서브 메모리 셀 및 제2 서브 메모리 셀이 공유하는 소오스 라인, 및 제1 비트 라인 및 제2 비트 라인과 연결되어 메모리 셀에 저장된 데이터를 판독하는 감지 증폭기를 포함하되, 감지 증폭기는 제1 비트 라인으로부터 제1 전류를 수신하고, 제2 비트 라인으로부터 제2 전류를 수신 받아 상기 제1 전류와 상기 제2 전류의 크기를 비교하여 메모리 셀에 저장된 데이터를 판독하고, 메모리 셀이 상기 제1 데이터를 저장하는 것에 응답하여 제1 서브 메모리 셀은 프로그램되고, 제2 서브 메모리 셀은 이레이즈된다.