SUBSTRATE PROCESSING APPARATUS

• Main Authors: JUNG DAE SUNG, KO MYEONG OCK, LIM MEE HYUN
• Format: Patent
• Language: English; Korean
• Published: 07.06.2023
• Subjects: BASIC ELECTRIC ELEMENTS; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; ELECTRICITY; INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIRCHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES; MEASURING; PHYSICS; SEMICONDUCTOR DEVICES; TESTING

The present invention provides a substrate processing apparatus which can accurately measure the charging amount of static electricity applied to a semiconductor device while producing the semiconductor device. According to one embodiment of the present invention, the substrate processing apparatus comprises: a chamber having an internal space in which a wet process is performed; a chuck arranged on a lower area of the internal space and allowing a semiconductor substrate to be loaded on the upper surface thereof; a probe wherein one end thereof is arranged on an upper portion of the semiconductor substrate, and an electro-optic crystal of which the optical refractive index changes in proportion to the magnitude of an electric field applied to the upper portion of the semiconductor substrate and a reflection mirror arranged on one surface of the electro-optic crystal are included on the one end thereof; a measurement part connected to the other end of the probe, providing reference light for the probe, and detecting a polarization component of reflection light obtained as the reference light is reflected from the reflection mirror of the probe; and a control part calculating a charging amount of static electricity on the surface of the semiconductor substrate from the polarization component detected by the measurement part. 본 발명의 일 실시예는, 습식 공정(wet process)이 수행되는 내부 공간을 갖는 챔버; 상기 내부 공간의 하부 영역에 배치되며 상면에 반도체 기판이 로딩되는 척(chuck); 일단이 상기 반도체 기판의 상부에 배치되며, 상기 일단에 상기 반도체 기판의 상기 상부에 인가된 전기장의 크기에 비례하여 광학적 굴절률이 변하는 전기 광학 결정(electro optic crystal) 및 상기 전기 광학 결정의 일면에 배치된 반사 미러를 포함하는 프로브(probe); 상기 프로브의 타단에 연결되며, 상기 프로브에 기준광을 제공하고, 상기 기준광이 상기 프로브의 상기 반사 미러에서 반사된 반사광의 편광 성분을 검출하는 측정부; 및 상기 측정부에서 검출된 상기 편광 성분으로부터 상기 반도체 기판의 표면의 정전기 대전량을 산출하는 제어부를 포함하는 기판 처리 장치를 제공한다.