Ferroelectric memory device containing word lines and pass gates and method of forming the same

메모리 디바이스는 소스 영역과 드레인 영역 사이에서 연장되는 반도체 채널, 복수의 패스 게이트 전극들, 복수의 워드 라인들, 반도체 채널과 복수의 패스 게이트 전극들 사이에 위치되는 게이트 유전체, 및 반도체 채널과 복수의 워드 라인들 사이에 위치되는 강유전성 재료 부분들을 포함한다. A memory device includes a semiconductor channel extending between a source region and a drain region, a plurality of pass gate electrodes,...

Full description

Saved in:
Bibliographic Details
Main Authors ALSMEIER JOHANN, ZHANG YANLI, MAKALA RAGHUVEER S
Format Patent
LanguageEnglish
Korean
Published 05.06.2023
Subjects
ELECTRICITY
INFORMATION STORAGE
PHYSICS
STATIC STORES
Online AccessGet full text

Cover

More Information
Summary:메모리 디바이스는 소스 영역과 드레인 영역 사이에서 연장되는 반도체 채널, 복수의 패스 게이트 전극들, 복수의 워드 라인들, 반도체 채널과 복수의 패스 게이트 전극들 사이에 위치되는 게이트 유전체, 및 반도체 채널과 복수의 워드 라인들 사이에 위치되는 강유전성 재료 부분들을 포함한다. A memory device includes a semiconductor channel extending between a source region and a drain region, a plurality of pass gate electrodes, a plurality of word lines, a gate dielectric located between the semiconductor channel and the plurality of pass gate electrodes, and ferroelectric material portions located between the semiconductor channel and the plurality of word lines
Bibliography:Application Number: KR20237017845