진공 처리 장치 및 진공 처리 방법

• Main Authors: TSUBOUCHI HIROKI, TANOKUCHI AKITO, UBUKATA TAKAO
• Format: Patent
• Language: Korean
• Published: 05.06.2023
• Subjects: BASIC ELECTRIC ELEMENTS; ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; ELECTRICITY; SEMICONDUCTOR DEVICES

2개의 진공 챔버간에서 시료를 반송할 때, 반송처의 진공 챔버에 있어서의 진공도의 악화를 억제하는 것이 가능한 진공 처리 장치 및 진공 처리 방법을 제공한다. 따라서, 제어 장치(30)는, LC(102)로부터 SC(101)로의 LC-SC간 게이트 밸브(510)를 통한 웨이퍼(600)의 반송을 제어한다. 이때, 제어 장치(30)는, LC-SC간 게이트 밸브(510)를 폐쇄 상태로 제어한 후에 제1 시간 행해지고 있는 TMP(401A)에 의한 진공 배기를 정지하고, 진공 배기를 정지한 상태에서 압력계(103)를 사용하여 LC(102)의 내압을 측정하고, 당해 측정한 내압이 제1 기준값에 도달한 경우에 LC-SC간 게이트 밸브(510)를 개방 상태로 제어한다. Provided are a vacuum treatment device and a vacuum treatment method with which it is possible to suppress deterioration of the degree of vacuum in a conveyance destination vacuum chamber when conveying a sample between two vacuum chambers. In this regard, a control device 30 controls conveyance of a wafer 600 from LC 102 to SC 101 via a LC-SC gate valve 510. At this time, the control device stops vacuum evacuation, which is being performed by a TMP 401A for a first duration of time, after having controlled the LC-SC gate valve 510 to close, measures an internal pressure of the LC 102 by using a pressure gauge 103 in a condition in which the vacuum evacuation is stopped, and controls the LC-SC gate valve 510 to open if the measured internal pressure has reached a first reference value.