THERMOELECTRIC ELEMENT

본 발명의 한 실시예에 따른 열전소자는 기판, 상기 기판 상에 배치된 제1 절연층, 상기 제1 절연층 상에 배치되고, 상기 제1 절연층의 면적보다 작은 면적을 갖는 제2 절연층, 상기 제2 절연층 상에 배치된 복수의 제1 전극, 상기 복수의 제1 전극 각각 상에 배치된 복수의 반도체 구조물, 및 상기 복수의 반도체 구조물 상에 배치된 복수의 제2 전극을 포함하고, 상기 제2 절연층은 상기 복수의 제1 전극, 상기 복수의 제2 전극 및 상기 복수의 반도체 구조물이 수직으로 중첩되는 중첩 영역 및 상기 중첩 영역에서 상기 기판의 제1...

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Main Authors CHO YONG SANG, LEE JONG MIN, CHOI MAN HUE
Format Patent
LanguageEnglish
Korean
Published 05.06.2023
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Summary:본 발명의 한 실시예에 따른 열전소자는 기판, 상기 기판 상에 배치된 제1 절연층, 상기 제1 절연층 상에 배치되고, 상기 제1 절연층의 면적보다 작은 면적을 갖는 제2 절연층, 상기 제2 절연층 상에 배치된 복수의 제1 전극, 상기 복수의 제1 전극 각각 상에 배치된 복수의 반도체 구조물, 및 상기 복수의 반도체 구조물 상에 배치된 복수의 제2 전극을 포함하고, 상기 제2 절연층은 상기 복수의 제1 전극, 상기 복수의 제2 전극 및 상기 복수의 반도체 구조물이 수직으로 중첩되는 중첩 영역 및 상기 중첩 영역에서 상기 기판의 제1 외측을 향하여 돌출된 돌출 패턴을 포함한다. A thermoelectric device according to one embodiment of the present invention includes a substrate, a first insulating layer disposed on the substrate, a second insulating layer disposed on the first insulating layer and having an area smaller than an area of the first insulating layer, a plurality of first electrodes disposed on the second insulating layer, a plurality of semiconductor structures disposed on the plurality of first electrodes, and a plurality of second electrodes disposed on the plurality of semiconductor structures, wherein the second insulating layer includes an overlapping region in which the plurality of first electrodes, the plurality of second electrodes, and the plurality of semiconductor structures overlap vertically and a protruding pattern protruding from the overlapping region toward a first outer side the substrate.
Bibliography:Application Number: KR20227027217