미세유체 디바이스를 위한 맞춤형 전극 캡핑

• Main Authors: DOMINICA ADELE L, WUNSCH BENJAMIN HARDY, SMITH JOSHUA T, O'SULLIVAN EUGENE J
• Format: Patent
• Language: Korean
• Published: 31.05.2023
• Subjects: CHEMICAL OR PHYSICAL LABORATORY APPARATUS FOR GENERAL USE; PERFORMING OPERATIONS; PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL; TRANSPORTING

미세유체 디바이스를 형성하는 방법이 개시된다. 상기 방법은 기판 상에 제1 유전체층을 형성하는 단계, 부분적으로 상기 제1 유전체층 내로 전극들을 형성하는 단계, 및 상기 전극들 상에 제2 유전체층을 형성하는 단계를 포함한다. 상기 방법은 금속 재료가 상기 전극들과 직접 접촉되도록 상기 제2 유전체층에 형성된 두 개의 웰을 상기 금속 재료로 채우는 단계를 포함한다. 상기 방법은 상기 금속 재료 및 상기 제2 유전체층 상에 제3 유전체층을 형성하는 단계를 포함한다. 상기 방법은 구조 재료가 상기 전극들과 직접 접촉하지 않도록 상기 웰들 사이에 형성된 채널을 상기 구조 재료로 채우는 단계를 포함한다. 상기 방법은 상기 제3 유전체층 및 상기 구조 재료 상에 제4 유전체층을 형성하는 단계, 상기 제4 유전체층 내의 적어도 하나의 통기 구멍을 통해 상기 구조 재료를 추출하는 단계, 및 상기 제4 유전체층 상에 제5 유전체층을 형성하는 단계를 포함한다. A method of forming a microfluidic device is disclosed. The method includes forming a first dielectric layer on a substrate, forming electrodes partially into the first dielectric layer, and forming a second dielectric layer on the electrodes. The method includes filling, with a metal material, two wells formed in the second dielectric layer such that the metal material is in direct contact with the electrodes. The method includes forming a third dielectric layer on the metal material and second dielectric layer. The method includes filling, with a structural material, a channel formed between the wells such that the structural material does not directly contact the electrodes. The method includes forming a fourth dielectric layer on the third dielectric layer and the structural material, extracting the structural material through at least one vent hole in the fourth dielectric layer, and forming a fifth dielectric layer on the fourth dielectric layer.