산화물 박막의 제조 방법

• Main Author: LUO JIANHENG
• Format: Patent
• Language: Korean
• Published: 24.05.2023
• Subjects: BASIC ELECTRIC ELEMENTS; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; CHEMISTRY; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATIONOR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY IONIMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; COATING METALLIC MATERIAL; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; ELECTRICITY; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION INGENERAL; METALLURGY; SEMICONDUCTOR DEVICES; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THESURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION

산화물 박막의 제조 방법에 있어서, 단계 1: 박막을 증착할 웨이퍼를 반응 챔버에 넣는 단계; 단계 2: 반응 챔버 내에 충격 가스 및 산화 가스의 제1 혼합 가스를 주입하고, 타깃에 직류 전력과 RF 전력을 인가하고, 제1 혼합 가스를 여기시켜 플라즈마를 형성함으로써, 타깃에 충격을 가하여 웨이퍼 상에 산화물 박막을 형성하는 단계; 단계 3: 타깃에 대한 직류 전력 및 RF 전력의 인가를 정지하고, 반응 챔버 내에 충격 가스, 산화 가스 및 질소 가스의 제2 혼합 가스를 주입하고, 베이스에 RF 전력을 인가하며, 제2 혼합 가스를 여기시켜 플라즈마를 형성함으로써, 산화물 박막에 충격을 가하여 질소 산화물 박막을 형성하는 단계; 및 단계 4: 계속해서 반응 챔버 내에 제2 혼합 가스를 주입하고, 타깃에 직류 전력과 RF 전력을 인가하며, 계속해서 베이스에 RF 전력을 인가하고, 제2 혼합 가스를 여기시켜 플라즈마를 형성함으로써, 타깃과 단계 3에서 형성된 질소 산화물 박막에 충격을 가하여, 단계 3에서 형성된 질소 산화물 박막 상에 질소 산화물 박막을 형성하는 단계를 포함한다. The oxide film preparation method of the present disclosure includes placing a wafer that is to be deposited with a film in a reaction chamber, introducing a first mixed gas of a bombardment gas and an oxidization gas into the reaction chamber, applying DC power and radio frequency power to the target, exciting the first mixed gas to form a plasma to bombard the target to form an oxide film on the wafer, stopping applying the DC power and the RF power on the target, introducing a second mixed gas of the bombardment gas, the oxidization gas, and nitrogen into the reaction chamber, applying the RF power to the base, exciting the second mixed gas to form the plasma to bombard the oxide film to form an oxynitride film, continuing to introduce the second mixed gas to the reaction chamber, exciting the second mixed gas to form the plasma to bombard the target and the oxynitride film formed in step 3 to form an oxynitride film on the oxynitride film formed in step 3.