국지화된 이온 강화 플라즈마(IEP)를 통한 웨이퍼 불균일성 수정
예시적인 반도체 프로세싱 챔버들은 가스박스를 포함할 수 있다. 챔버들은 기판 지지체를 포함할 수 있다. 챔버들은 가스박스와 기판 지지체 사이에 포지셔닝된 차단기 플레이트를 포함할 수 있다. 차단기 플레이트는 복수의 애퍼처들을 정의할 수 있다. 챔버들은 차단기 플레이트와 기판 지지체 사이에 포지셔닝된 페이스플레이트를 포함할 수 있다. 페이스플레이트는 차단기 플레이트를 향하는 제1 표면, 및 제1 표면 반대편의 제2 표면을 특징으로 할 수 있다. 제2 표면 및 기판 지지체는 챔버 내에 프로세싱 영역을 적어도 부분적으로 정의할 수 있다....
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Format | Patent |
Language | Korean |
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22.05.2023
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Summary: | 예시적인 반도체 프로세싱 챔버들은 가스박스를 포함할 수 있다. 챔버들은 기판 지지체를 포함할 수 있다. 챔버들은 가스박스와 기판 지지체 사이에 포지셔닝된 차단기 플레이트를 포함할 수 있다. 차단기 플레이트는 복수의 애퍼처들을 정의할 수 있다. 챔버들은 차단기 플레이트와 기판 지지체 사이에 포지셔닝된 페이스플레이트를 포함할 수 있다. 페이스플레이트는 차단기 플레이트를 향하는 제1 표면, 및 제1 표면 반대편의 제2 표면을 특징으로 할 수 있다. 제2 표면 및 기판 지지체는 챔버 내에 프로세싱 영역을 적어도 부분적으로 정의할 수 있다. 페이스플레이트는 내측의 복수의 애퍼처들을 정의할 수 있다. 내측 애퍼처들 각각은 대체로 원통형의 애퍼처 프로파일을 포함할 수 있다. 페이스플레이트는 내측 애퍼처들로부터 방사상 외측에 포지셔닝되는 외측의 복수의 애퍼처들을 정의할 수 있다. 외측 애퍼처들 각각은 제2 표면을 통해 연장되는 원추형 애퍼처 프로파일을 포함할 수 있다.
semiconductor processing chambers include a gasbox. The chambers may include a substrate support. The chambers may include a blocker plate positioned between the gasbox and the substrate support. The blocker plate may define a plurality of apertures. The chambers may include a faceplate positioned between the blocker plate and the substrate support. The faceplate may be characterized by a first surface facing the blocker plate and a second surface opposite the first surface. The second surface and the substrate support may at least partially define a processing region within the chamber. The faceplate may define an inner plurality of apertures. Each of the inner apertures may include a generally cylindrical aperture profile. The faceplate may define an outer plurality of apertures that are positioned radially outward from the inner apertures. Each of the outer apertures may include a conical aperture profile that extends through the second surface. |
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Bibliography: | Application Number: KR20237013364 |