텅스텐 저항률을 감소시키기 위한 방법들 및 장치

• Main Authors: RAMALINGAM JOTHILINGAM, LEI JIANXIN, JOHANSON WILLIAM R, HOU WENTING, KOTHNUR PRASHANTH
• Format: Patent
• Language: Korean
• Published: 16.05.2023
• Subjects: BASIC ELECTRIC ELEMENTS; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; CHEMISTRY; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATIONOR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY IONIMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; COATING METALLIC MATERIAL; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS; ELECTRICITY; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION INGENERAL; METALLURGY; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THESURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION

기판들 상에 낮은 저항률 텅스텐 막을 형성하는 방법 및 장치가 제공된다. 일부 실시예들에서, 텅스텐의 저항률을 감소시키는 방법은 크립톤의 프로세스 가스를 통해 그리고 대략 60MHz의 주파수를 갖는 RF 전력 및 마그네트론을 사용하여 물리 기상 증착(PVD) 챔버의 프로세싱 볼륨에서 플라즈마를 생성하는 단계; 기판에 대략 13.56MHz의 주파수의 바이어스 전력을 인가하는 단계; 및 기판 상에 텅스텐 박막을 증착하기 위해 텅스텐 타겟을 스퍼터링하는 단계를 포함한다. 증착된 텅스텐 박막의 적어도 대략 90%는 기판의 최상부 표면에 대략적으로 평행한 결정 배향 평면을 갖는다. Apparatus that forms low resistivity tungsten film on substrates. In some embodiments, the apparatus may provide reduced resistivity of tungsten by being configured to generate a plasma in a processing volume of a physical vapor deposition (PVD) chamber with a process gas of krypton and using an RF power with a frequency of approximately 60 MHz, apply bias power at frequency of approximately 13.56 MHz to a substrate, and sputter a tungsten target to deposit a tungsten thin film on the substrate. At least approximately 90% of the deposited tungsten thin film has a crystalline orientation plane approximately parallel to a top surface of the substrate.