SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE METHOD FOR FABRICATING THE SAME AND ELECTRONIC SYSTEM INCLUDING THE SAME

• Main Authors: OH MIN JAE, IM JI WOON, KIM IK SOO, RHA SANG HO
• Format: Patent
• Language: English; Korean
• Published: 16.05.2023
• Subjects: ELECTRICITY

Provided are a semiconductor memory device with enhanced yield due to improved process difficulty and defects, a method for fabricating the same, and an electronic system including the same. The semiconductor memory device comprises: a mold structure including a cell substrate, and a plurality of gate electrodes stacked on the cell substrate, in which the gate electrodes include a first ground select line, a second ground select line, and a plurality of word lines stacked in order; a channel structure extending in a vertical direction intersecting an upper surface of the cell substrate and penetrating the mold structure; a partial separation region extending in a first direction parallel to the upper surface of the cell substrate and partially cutting the mold structure; and a ground separation structure connecting two partial separation regions adjacent to each other in the first direction, and extending in the vertical direction and penetrating the first ground select line and the second ground select line, wherein a width of the ground separation structure increases as the ground separation structure becomes farther from the cell substrate. 공정 난이도 및 불량이 개선되어 수율이 향상된 반도체 메모리 장치, 그의 제조 방법 및 그를 포함하는 전자 시스템이 제공된다. 셀 기판, 셀 기판 상에 적층되는 복수의 게이트 전극들을 포함하는 몰드 구조체로, 게이트 전극들은 차례로 적층되는 제1 그라운드 선택 라인, 제2 그라운드 선택 라인 및 복수의 워드 라인들을 포함하는 몰드 구조체, 셀 기판의 상면과 교차하는 수직 방향으로 연장되어 몰드 구조체를 관통하는 채널 구조체, 셀 기판의 상면과 평행한 제1 방향으로 연장되어 몰드 구조체를 부분적으로 절단하는 부분 분리 영역, 및 제1 방향에서 인접하는 2개의 부분 분리 영역들을 연결하며, 수직 방향으로 연장되어 제1 그라운드 선택 라인 및 제2 그라운드 선택 라인을 관통하는 그라운드 분리 구조체, 그라운드 분리 구조체의 폭은 셀 기판으로부터 멀어짐에 따라 증가한다.