2번의 노출들을 이용하여 디지털 리소그래피를 위한 프로세스 윈도우 및 해상도를 개선하기 위한 방법들

본원에서 설명된 실시예들은 리소그래피 환경에서 이중 노출 패턴들을 인쇄하는 방법들에 관한 것이다. 방법들은 리소그래피 프로세스에서 제1 노출 패턴으로 노출될 제2 노출 패턴을 결정하는 것을 포함한다. 제2 노출 패턴은 규칙 기반 프로세스 흐름 또는 리소그래피 모델 프로세스 흐름으로 결정된다. Embodiments described herein relate to methods of printing double exposure patterns in a lithography environment. The methods include de...

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Main Author TSAI CHI MING
Format Patent
LanguageKorean
Published 15.05.2023
Subjects
APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
CINEMATOGRAPHY
ELECTROGRAPHY
HOLOGRAPHY
MATERIALS THEREFOR
ORIGINALS THEREFOR
PHOTOGRAPHY
PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES,e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTORDEVICES
PHYSICS
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Summary:본원에서 설명된 실시예들은 리소그래피 환경에서 이중 노출 패턴들을 인쇄하는 방법들에 관한 것이다. 방법들은 리소그래피 프로세스에서 제1 노출 패턴으로 노출될 제2 노출 패턴을 결정하는 것을 포함한다. 제2 노출 패턴은 규칙 기반 프로세스 흐름 또는 리소그래피 모델 프로세스 흐름으로 결정된다. Embodiments described herein relate to methods of printing double exposure patterns in a lithography environment. The methods include determining a second exposure pattern to be exposed with a first exposure pattern in a lithography process. The second exposure pattern is determined with a rule-based process flow or a lithography model process flow.
Bibliography:Application Number: KR20237012865