Semiconductor device

• Main Authors: TAK YONG SUK, PARK SEO HEE, LEE KONG SOO, KIM YU RIM, KIM TEA WON
• Format: Patent
• Language: English; Korean
• Published: 09.05.2023
• Subjects: ELECTRICITY

The present invention relates to a semiconductor device, which may have improved performance since a crystalline oxide semiconductor layer may have high crystallinity. The semiconductor device comprises: a substrate; a conductive line which extends on the substrate in a first horizontal direction; a separation insulation film which extends on the substrate and the conductive line in a second horizontal direction crossing with the first horizontal direction, and has a channel trench extending from an upper surface to a lower surface; a crystalline oxide semiconductor layer which extends along at least a part of an inner surface and bottom surface of the channel trench and then is connected to the conductive line; and a gate electrode which extends in the second horizontal direction on the crystalline oxide semiconductor layer in the channel trench. The crystalline oxide semiconductor layer has a grain size of a first portion adjacent to the inner surface of the channel trench greater than a grain size of a second portion adjacent to the bottom surface of the channel trench. 본 발명에 따른 반도체 장치는, 기판, 상기 기판 상에서 제1 수평 방향으로 연장되는 도전 라인, 상기 기판 및 상기 도전 라인 상에서 상기 제1 수평 방향과 교차하는 제2 수평 방향으로 연장되며 상면으로부터 하면까지 연장되는 채널 트렌치를 가지는 분리 절연막, 상기 채널 트렌치의 내측면 및 저면의 적어도 일부를 따라 연장되어 상기 도전 라인과 접속되는 결정질 산화물 반도체층, 및 상기 채널 트렌치 내의 상기 결정질 산화물 반도체층 상에서 상기 제2 수평 방향으로 연장되는 게이트 전극을 포함하되, 상기 결정질 산화물 반도체층은 상기 채널 트렌치의 내측면에 인접하는 제1 부분의 그레인 크기가 상기 채널 트렌치의 저면에 인접하는 제2 부분의 그레인 크기보다 크다.