3D TECHNOLOGIES FOR FABRICATING A 3D MEMORY STRUCTURE

• Main Authors: PARK ILJUNG, HAN SANG CHEOL, LEE SUNGHIL, CHAE SOO DOO
• Format: Patent
• Language: English; Korean
• Published: 08.05.2023
• Subjects: BASIC ELECTRIC ELEMENTS; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; ELECTRICITY; SEMICONDUCTOR DEVICES

A three-dimensional (3D) memory structure includes: a memory array formed on one side of a substrate; a far-back-end-of-the-line (FBEOL) structure formed on the memory array; and a back-end-of-the-line (BEOL) structure formed on the other side of the substrate opposed to the one side in which the memory array and the FBEOL structure are formed. Moreover, disclosed is a method for manufacturing the three-dimensional memory structure, including the following steps of: forming a memory array on a substrate; forming an FBEOL structure on the memory array; inverting the substrate; and forming a BEOL structure on the opposed side of the substrate. Also, disclosed are an alternative three-dimensional memory structure and a manufacturing method thereof. 3차원(3D) 메모리 구조물은, 기판의 일면 상에 형성된 메모리 어레이; 메모리 어레이 상에 형성된 라인 최후단(FBEOL) 구조물; 및 메모리 어레이 및 FBEOL 구조물이 형성된 일면에 대향하는 기판의 다른 면 상에 형성된 라인 후단(BEOL) 구조물을 포함한다. 또한, 3D 메모리 구조물을 제조하기 위한 방법이 개시되며, 기판 상에 메모리 어레이를 형성하는 단계; 메모리 어레이 상에 FBEOL을 형성하는 단계; 기판을 뒤집는 단계; 및 기판의 대향 면 상에 BEOL을 형성하는 단계를 포함한다. 또한, 대안적인 3D 메모리 구조물 및 제조 방법이 개시된다.