트렌치 하단 차폐 구조체들을 갖는 트렌치 반도체 디바이스들

• Main Authors: RYU SEI HYUNG, LICHTENWALNER DANIEL JENNER, KIM WOONGSUN, ISLAM NAEEM
• Format: Patent
• Language: Korean
• Published: 03.05.2023
• Subjects: BASIC ELECTRIC ELEMENTS; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; ELECTRICITY; SEMICONDUCTOR DEVICES

디바이스 신뢰성 및/또는 디바이스의 기능을 개선할 수 있는 폴리실리콘 층을 포함하는, 반도체 디바이스들 및 반도체 디바이스를 형성하는 방법들. 예시적인 디바이스는 제1 전도형을 갖는 드리프트 영역을 포함하는 넓은 밴드갭 반도체 층 구조체; 반도체 층 구조체의 상부 부분 내의 복수의 게이트 트렌치- 각각의 게이트 트렌치는 하단 표면, 제1 측벽, 제2 측벽, 및 상부 개구를 가짐 -; 및 복수의 폴리실리콘 층- 각각의 폴리실리콘 층은 각각의 게이트 트렌치의 제2 측벽 상에 있음 - 을 포함할 수 있다. Semiconductor devices and methods of forming a semiconductor device that includes a polysilicon layer that may improve device reliability and/or a functioning of the device. An example device may include a wide band-gap semiconductor layer structure including a drift region that has a first conductivity type; a plurality of gate trenches in an upper portion of the semiconductor layer structure, each gate trench having a bottom surface, a first sidewall, a second sidewall, and an upper opening; and a plurality of polysilicon layers, each polysilicon layer on the second sidewall of a respective gate trench.