유전체에 대한 선택도를 갖는 반도체, 금속 또는 금속 옥사이드의 원자 층 에칭

• Main Authors: ROUTZAHN AARON LYNN, LILL THORSTEN BERND, FISCHER ANDREAS
• Format: Patent
• Language: Korean
• Published: 28.04.2023
• Subjects: BASIC ELECTRIC ELEMENTS; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; ELECTRICITY; SEMICONDUCTOR DEVICES

반도체 프로세싱 방법들 및 장치들이 제공된다. 일부 방법들은 반도체 부분 및 유전체 부분을 갖는 기판을 프로세싱 챔버에 제공하는 단계, 기판 상에 제 1 할로겐 종을 포함하는 제 1 프로세스 가스를 흘림으로써 그리고 제 1 할로겐화된 반도체를 형성하기 위해 제 1 할로겐 종으로 하여금 유전체 부분에 상대적으로 반도체 부분 상에 우선적으로 흡착하게 하는 제 1 활성화 에너지를 제공함으로써 기판의 유전체 부분에 대해 선택적으로 기판의 반도체 부분을 개질하는 단계; 및 제 2 할로겐 종을 포함하는 제 2 프로세스 가스를 기판 상에 흘림으로써 그리고 제 2 할로겐 종으로 하여금 제 1 할로겐화된 반도체와 반응하게 하고 그리고 제 1 할로겐화된 반도체로 하여금 기판으로부터 탈착되게 (desorb) 하도록, 플라즈마를 제공하지 않고, 제 2 활성화 에너지를 제공함으로써 제 1 할로겐화된 반도체를 제거하는 단계를 포함한다. Semiconductor processing methods and apparatuses are provided. Some methods include providing a substrate to a processing chamber, the substrate having a semiconductor portion and a dielectric portion, modifying the semiconductor portion of the substrate selective to the dielectric portion of the substrate by flowing a first process gas comprising a first halogen species onto the substrate and providing a first activation energy to cause the first halogen species to preferentially adsorb on the semiconductor portion relative to the dielectric portion to form a first halogenated semiconductor, and removing the first halogenated semiconductor by flowing a second process gas comprising a second halogen species onto the substrate and providing a second activation energy, without providing a plasma, to cause the second halogen species to react with the first halogenated semiconductor and cause the first halogenated semiconductor to desorb from the substrate.