SEMICONDUCTOR DEVICE STRUCTURE AND METHOD FOR FORMING THE SAME

• Main Authors: WANG YIN, WANG CHUNYAO
• Format: Patent
• Language: English; Korean
• Published: 27.04.2023
• Subjects: BASIC ELECTRIC ELEMENTS; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; ELECTRICITY; SEMICONDUCTOR DEVICES

A semiconductor device structure is provided. The semiconductor device structure includes a substrate. The semiconductor device structure includes a gate stack formed on the substrate. The semiconductor device structure includes a spacer structure formed on a sidewall of the gate stack. The spacer structure includes a dielectric layer, a silicon rich layer, and a protection layer. The dielectric layer is formed between the gate stack and the silicon rich layer. The silicon rich layer is formed between the dielectric layer and the protection layer. A first atomic percentage of silicon in the silicon rich layer is greater than about 50%. The semiconductor device structure includes a source/drain structure formed on the substrate. The spacer structure is formed between the source/drain structure and the gate stack. 반도체 디바이스 구조물이 제공된다. 반도체 디바이스 구조물은 기판을 포함한다. 반도체 디바이스 구조물은 기판 위에 형성된 게이트 스택을 포함한다. 반도체 디바이스 구조물은 게이트 스택의 측벽 위에 형성된 스페이서 구조물을 포함한다. 스페이서 구조물은 유전체층, 실리콘 부유층, 및 보호층을 포함한다. 유전체층은 게이트 스택과 실리콘 부유층 사이에 형성된다. 실리콘 부유층은 유전체층과 보호층 사이에 형성된다. 실리콘 부유층 내의 실리콘의 제1 원자 백분율은 약 50%보다 높다. 반도체 디바이스 구조물은 기판 위에 형성된 소스/드레인 구조물을 포함한다. 스페이서 구조물은 소스/드레인 구조물과 게이트 스택 사이에 형성된다.