GaN RF HEMT GaN RF HEMT Structure and fabrication method of the same

• Main Authors: CHOI SANG SIG, SHIM KYU HWAN, CHO DEOK HO
• Format: Patent
• Language: English; Korean
• Published: 25.04.2023
• Subjects: BASIC ELECTRIC ELEMENTS; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; ELECTRICITY; SEMICONDUCTOR DEVICES

The present invention relates to a GaN RF HEMT device and a manufacturing method thereof. The GaN RF HEMT device may comprise: a stress reduction substrate (10); an ohmic metal film (21) disposed at a predetermined distance apart from each other on a portion of an upper part of the stress reduction substrate (10) partially exposed by a first insulating film (22); a gate metal (26) in contact with the stress reduction substrate (10) through a window formed in a second insulating film (25) disposed at an upper part of the first insulating film (22) and the ohmic metal film (21); a source field plate (27) disposed spaced apart from a side of the gate metal; a connecting metal line (28) in contact with the source field plate (27) and extending to an upper side of a source-side ohmic metal film (21) while being insulated from the gate metal (26); a source electrode formed in an area connecting the source-side ohmic metal film (21) and the connection metal line (28), and a drain electrode in contact with a drain-side ohmic metal film; and air bridge (35) electrically connecting the plurality of source electrodes. Accordingly, a stable gate driving voltage is provided. 본 발명은 GaN RF HEMT 소자 및 그 제조방법에 관한 것으로, 응력 감소 기판(10)과, 제1절연막(22)에 의해 일부가 노출되는 상기 응력 감소 기판(10)의 상부 일부에 상호 소정 간격 이격되어 배치되는 오믹 금속막(21)과, 상기 제1절연막(22) 및 오믹 금속막(21)의 상부에 배치되는 제2절연막(25)에 형성된 윈도우를 통해 상기 응력 감소 기판(10)에 접하는 게이트 금속(26)과, 상기 게이트 금속의 측면측으로 이격되어 배치되는 소스 필드 플레이트(27)와, 상기 소스 필드 플레이트(27)에 접하고, 상기 게이트 금속(26)과는 절연된 상태로 소스측 오믹 금속막(21)의 상부측으로 연장되는 연결 금속선(28)과, 소스측 오믹 금속막(21)과 상기 연결 금속선(28)을 연결하는 영역에 형성되는 소스 전극 및 드레인측 오믹 금속막에 접촉되는 드레인 전극과, 다수의 상기 소스 전극들을 전기적으로 연결하는 에어 브릿지(35)를 포함할 수 있다.