게르마늄에 대한 확산 배리어들

• Main Authors: WANG HUIYUAN, QI BO, KOSHIZAWA TAKEHITO, INGLE NITIN K, ROY SUSMIT SINGHA, MALLICK ABHIJIT BASU
• Format: Patent
• Language: Korean
• Published: 25.04.2023
• Subjects: BASIC ELECTRIC ELEMENTS; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; CHEMISTRY; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATIONOR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY IONIMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; COATING METALLIC MATERIAL; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; ELECTRICITY; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION INGENERAL; METALLURGY; SEMICONDUCTOR DEVICES; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THESURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION

본 기술의 예들은 반도체 구조에서 게르마늄에 대한 확산 배리어들을 형성하기 위한 반도체 프로세싱 방법들을 포함한다. 방법들은 Si-및-SiGe 층들의 쌍들로부터 반도체 층 스택을 형성하는 단계를 포함할 수 있다. Si-및-SiGe 층 쌍들은 실리콘 층을 형성하고 그 후 실리콘 층의 게르마늄 배리어 층을 형성함으로써 형성될 수 있다. 일부 실시예들에서, 게르마늄-배리어 층은 약 20Å 이하일 수 있다. Si-및-SiGe 층 쌍의 형성을 완료하기 위해 게르마늄-배리어 층 상에 실리콘-게르마늄 층이 형성될 수 있다. 일부 실시예들에서, 실리콘 층은 비정질 실리콘 층일 수 있고, SiGe 층은 약 5 원자% 이상의 게르마늄을 특징으로 할 수 있다. 본 기술의 예들은 또한 실리콘-게르마늄 층, 게르마늄-배리어 층 및 실리콘 층을 포함하는 반도체 구조들을 포함한다. Examples of the present technology include semiconductor processing methods to form diffusion barriers for germanium in a semiconductor structure. The methods may include forming a semiconductor layer stack from pairs of Si-and-SiGe layers. The Si-and-SiGe layer pairs may be formed by forming a silicon layer, and then forming the germanium barrier layer of the silicon layer. In some embodiments, the germanium-barrier layer may be less than or about 20 Å. A silicon-germanium layer may be formed on the germanium-barrier layer to complete the formation of the Si-and-SiGe layer pair. In some embodiments, the silicon layer may be an amorphous silicon layer, and the SiGe layer may be characterized by greater than or about 5 atom % germanium. Examples of the present technology also include semiconductor structures that include a silicon-germanium layer, a germanium-barrier layer, and a silicon layer.