STATEFUL LOGIC-IN-MEMORY ARRAY USING SILICON DIODES

• Main Authors: KIM SANG SIG, SON JAE MIN, CHO KYOUNG AH
• Format: Patent
• Language: English; Korean
• Published: 21.04.2023
• Subjects: BASIC ELECTRIC ELEMENTS; BASIC ELECTRONIC CIRCUITRY; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; ELECTRICITY; INFORMATION STORAGE; PHYSICS; PULSE TECHNIQUE; SEMICONDUCTOR DEVICES; STATIC STORES

The present invention relates to a stateful logic-in-memory using silicon diodes. The stateful logic-in-memory using silicon diodes according to one embodiment of the present invention comprises a plurality of silicon diodes each of which serves as a memory cell and includes an anode region, a first channel region, a second channel region, and a cathode region. In each memory cell, a terminal of the cathode region is connected in parallel with a terminal of the other cathode region and then connected in series with a resistor, and each memory cell receives an operating voltage through a terminal of the anode region. The plurality of memory cells include at least one input cell and one output cell. The plurality of memory cells perform an implication (IMP) operation at least once based on the applied operating voltage and states of the at least one input cell and the output cell. The plurality of memory cells can perform a logical operation function and a memory function by changing or maintaining the state of the output cell based on the IMP operation performed at least once. 본 발명은 실리콘 다이오드들을 이용한 스테이트풀 로직 인 메모리에 관한 것으로, 본 발명의 일실시예에 따른 실리콘 다이오드들을 이용한 스테이트풀 로직 인 메모리는 애노드(anode) 영역, 제1 채널 영역, 제2 채널 영역 및 캐소드(cathode) 영역을 포함하는 복수의 실리콘 다이오드 각각을 메모리셀로 포함하고, 상기 복수의 메모리셀 각각은 상기 캐소드 영역의 단자가 다른 캐소드 영역의 단자와 병렬로 연결된 후 저항과 직렬 연결되고, 상기 애노드 영역의 단자를 통해 동작 전압을 인가 받으며, 상기 복수의 메모리셀은 적어도 하나의 입력셀과 출력셀을 포함하고, 상기 인가되는 동작 전압 및 상기 적어도 하나의 입력셀과 상기 출력셀의 스테이트(state)에 기반하여 IMP(implication) 연산을 적어도 한번 수행하며, 상기 적어도 한번 수행된 IMP 연산에 기반하여 상기 출력셀의 스테이트를 변경 또는 유지하여 논리 연산 기능 및 메모리 기능을 수행할 수 있다.