오비탈 홀 효과에서 스핀 전류 및 자기 저항

중금속에서 스핀 홀 효과(SHE)와 독립적인 스핀 전류 상호 작용을 기반으로 자기장을 감지하고 조작하는 디바이스이다. 스핀 전류는 오비탈 홀 효과(OHE)에서 발생하는 면외 오비탈 전류의 변환에 의해 일반 금속에서 생성된다. 오비탈 전류에서 스핀 전류로의 변환은 중금속의 얇은 층(몇 개의 원자층 두께)에서 일어나므로 중금속을 일반 금속으로 대체함으로써 중금속 요구량을 크게 줄인다. 디바이스 응용 분야에는 자기장 검출 및 측정을 위한 자기 저항 센서와 자기 터널 접합 데이터 저장 유닛이 포함된다. Devices for sensing...

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Main Authors XIAO JIEWEN, YAN BINGHAI
Format Patent
LanguageKorean
Published 18.04.2023
Subjects
ELECTRICITY
INFORMATION STORAGE
PHYSICS
STATIC STORES
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Summary:중금속에서 스핀 홀 효과(SHE)와 독립적인 스핀 전류 상호 작용을 기반으로 자기장을 감지하고 조작하는 디바이스이다. 스핀 전류는 오비탈 홀 효과(OHE)에서 발생하는 면외 오비탈 전류의 변환에 의해 일반 금속에서 생성된다. 오비탈 전류에서 스핀 전류로의 변환은 중금속의 얇은 층(몇 개의 원자층 두께)에서 일어나므로 중금속을 일반 금속으로 대체함으로써 중금속 요구량을 크게 줄인다. 디바이스 응용 분야에는 자기장 검출 및 측정을 위한 자기 저항 센서와 자기 터널 접합 데이터 저장 유닛이 포함된다. Devices for sensing and manipulating magnetic fields based on spin current interactions independent of the Spin Hall Effect (SHE) in heavy metal. Spin current is generated in ordinary metals by conversion of out-of-plane orbital current arising from the Orbital Hall Effect (OHE). The conversion from orbital current to spin current takes place in a thin layer of heavy metal (several atomic layers thick), thereby substantially reducing heavy metal requirements by replacing heavy metal with ordinary metal. Device applications include magnetoresistive sensors for detecting and measuring magnetic fields, and magnetic tunnel junction data storage units.
Bibliography:Application Number: KR20237007719