Semiconductor memory device

• Main Authors: LEE KYUNGHWAN, LEE MINJUN, KIM HYUNCHEOL, PARK JONGMAN, KIM YONGSEOK, WOO DONGSOO
• Format: Patent
• Language: English; Korean
• Published: 18.04.2023
• Subjects: ELECTRICITY

Provided is a semiconductor memory device. The semiconductor memory device comprises: a substrate; source lines extending in a first direction on the substrate; word lines crossing the source lines, and extending in a second direction different from that of the first direction; bit lines crossing the source lines and the word lines, and extending in a third direction different from that of the first direction and the second direction; and memory cells provided at intersection points of the source lines, the word lines, and the bit lines, wherein the first, second, and third directions may be parallel to an upper surface of the substrate. Therefore, the present invention enables electrical characteristics to be further improved. 반도체 메모리 장치가 제공된다. 반도체 메모리 장치는 기판; 상기 기판 상에서 제1 방향으로 연장되는 소스 라인들; 상기 소스 라인들을 가로지르며, 상기 제1 방향과 다른 제2 방향으로 연장되는 워드 라인들; 상기 소스 라인들 및 상기 워드 라인들을 가로지르며, 상기 제1 방향 및 상기 제2 방향과 다른 제3 방향으로 연장되는 비트 라인들; 및 상기 소스 라인들, 상기 워드 라인들, 및 상기 비트 라인들 교차점들에 제공되는 메모리 셀들을 포함하되, 상기 제1, 제2, 및 제3 방향들은 상기 기판의 상면과 평행할 수 있다.