SEMICONDUCOTR DEVICE AND ELECTRONIC SYSTEM INCLUDING THE SAME

A semiconductor device and an electronic system including the same are provided. The semiconductor device comprises: a substrate which includes a cell array area and a connection area arranged in a first direction; an electrode structure which includes electrodes vertically stacked on the substrate...

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Main Authors PARK BONGTAE, JUNG TAE CHUL, LEE TAE GON, HWANG SUNG MIN, SHIM JAE JOO, WOO DONGSUNG
Format Patent
LanguageEnglish
Korean
Published 06.04.2023
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Summary:A semiconductor device and an electronic system including the same are provided. The semiconductor device comprises: a substrate which includes a cell array area and a connection area arranged in a first direction; an electrode structure which includes electrodes vertically stacked on the substrate and has pads arranged on the connection area in a step-like manner; vertical structures which penetrate the electrode structure on the cell array area; and a separation insulation pattern which penetrates the upper electrode among the electrodes, and separates the upper electrode in a second direction intersecting the first direction. The cell array area may include a central area and a peripheral area between the central area and the connection area. The vertical structures may include central vertical structures provided on the central area and peripheral vertical structures provided on the peripheral area. The separation insulation pattern may include a first part extending between the central vertical structures in the first direction and a second part spaced in the second direction from the first part between the peripheral vertical structures. An objective of the present invention is to provide a semiconductor device and an electronic system with improved reliability and integration. 반도체 장치 및 이를 포함하는 전자 시스템이 제공된다. 반도체 장치는 제1 방향으로 배열된 셀 어레이 영역 및 연결 영역을 포함하는 기판; 상기 기판 상에 수직 적층된 전극들을 포함하고, 상기 연결 영역 상에 계단식으로 배열된 패드들을 갖는 전극 구조체; 상기 셀 어레이 영역 상에 상기 전극 구조체를 관통하는 수직 구조체들; 및 상기 전극들 중 상부 전극을 관통하며, 상기 상부 전극을 상기 제1 방향과 교차하는 제2 방향으로 분리하는 분리 절연 패턴을 포함하되, 상기 셀 어레이 영역은 중심 영역 및 상기 중심 영역과 연결 영역 사이의 외곽 영역을 포함하고, 상기 수직 구조체들은 상기 중심 영역 상의 중심 수직 구조체들 및 상기 외곽 영역 상의 주변 수직 구조체들을 포함하고, 상기 분리 절연 패턴은 상기 중심 수직 구조체들 사이에 상기 제1 방향으로 연장된 제1 부분 및 상기 주변 수직 구조체들 사이에 상기 제1 부분으로부터 상기 제2 방향으로 이격된 제2 부분을 포함할 수 있다.
Bibliography:Application Number: KR20210128826