고 에칭 선택성 비정질 탄소 막

• Main Authors: KULSHRESHTHA PRASHANT KUMAR, LEE KWANGDUK DOUGLAS, OSHIO HIDETAKA, WHITESELL HARRY, LEE DONG HYUNG, PRASAD RAJESH, BOBEK SARAH, CHAVVA VENKATARAMANA R, FALK SCOTT, RAJ MITTAL DEVEN MATTHEW
• Format: Patent
• Language: Korean
• Published: 31.03.2023
• Subjects: BASIC ELECTRIC ELEMENTS; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; CHEMISTRY; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATIONOR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY IONIMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; COATING METALLIC MATERIAL; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; ELECTRICITY; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION INGENERAL; METALLURGY; SEMICONDUCTOR DEVICES; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THESURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION

기판 상에 비정질 탄소 막들을 증착하기 위한 방법들 및 기법들이 제공된다. 일 예에서, 방법은 제1 프로세싱 구역에서 서셉터 상에 포지셔닝된 하층 상에 비정질 탄소 막을 증착하는 단계를 포함한다. 방법은, 제2 프로세싱 구역에서 비정질 탄소 막 내에 도펀트 또는 불활성 종을 주입하는 단계를 추가로 포함한다. 하드마스크 경도를 향상시키기 위해, 일부의 조합으로, 주입 종, 에너지, 선량 및 온도가 사용될 수 있다. 방법은 도핑된 비정질 탄소 막을 패터닝하는 단계를 추가로 포함한다. 방법은 하층을 에칭하는 단계를 추가로 포함한다. Methods and techniques for deposition of amorphous carbon films on a substrate are provided. In one example, the method includes depositing an amorphous carbon film on an underlayer positioned on a susceptor in a first processing region. The method further includes implanting a dopant or the inert species into the amorphous carbon film in a second processing region. The implant species, energy, dose & temperature in some combination may be used to enhance the hardmask hardness. The method further includes patterning the doped amorphous carbon film. The method further includes etching the underlayer.