INTEGRATED CIRCUIT STRUCTURES HAVING METAL-CONTAINING SOURCE OR DRAIN STRUCTURES

• Main Authors: LILAK AARON D, WEBER CORY, PAYDAVOSI NAVID, MEHANDRU RISHABH, KEYS PATRICK, CEA STEPHEN M
• Format: Patent
• Language: English; Korean
• Published: 31.03.2023
• Subjects: BASIC ELECTRIC ELEMENTS; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; ELECTRICITY; SEMICONDUCTOR DEVICES

Described are an integrated circuit structure having a metal-containing source or a drain structure, and a method for manufacturing an integrated circuit structure having a metal-containing source or a drain structure. For instance, an integrated circuit structure comprises a vertical arrangement of horizontal nanowires. A gate stack is around the vertical arrangement of the horizontal nanowires. A first epitaxial source or drain structure is at the first end unit of the vertical arrangement of the horizontal nanowires, and a second epitaxial source or drain structure is at the second end unit of the vertical arrangement of the horizontal nanowires. The first and the second epitaxial sources or drain structures include a diffused metal layer inside. The metal layer is partly further diffused to the vertical arrangement of the horizontal nanowires. 금속 함유 소스 또는 드레인 구조를 갖는 집적 회로 구조, 및 금속 함유 소스 또는 드레인 구조를 갖는 집적 회로 구조를 제조하는 방법이 기술된다. 예를 들어, 집적 회로 구조는 수평 나노와이어의 수직 배열을 포함한다. 게이트 스택은 수평 나노와이어의 수직 배열 주위에 있다. 제1 에피택셜 소스 또는 드레인 구조는 수평 나노와이어의 수직 배열의 제1 단부에 있고, 제2 에피택셜 소스 또는 드레인 구조는 수평 나노와이어의 수직 배열의 제2 단부에 있다. 제1 및 제2 에피택셜 소스 또는 드레인 구조는 내부에 확산된 금속 종을 포함하고, 금속 종은 수평 나노와이어의 수직 배열로 부분적으로 더 확산된다.