CONTACT OVER ACTIVE GATE STRUCTURES WITH CONDUCTIVE TRENCH CONTACT TAPS FOR ADVANCED INTEGRATED CIRCUIT STRUCTURE FABRICATION

• Main Authors: CHANDHOK MANISH, ALAAN URUSA, SINGH GURPREET, KARPOV ELIJAH V, WALLACE CHARLES H, PATEL REKEN, HARAN MOHIT K, GULER LEONARD P, HAN EUNGNAK, GSTREIN FLORIAN, NYHUS PAUL A
• Format: Patent
• Language: English; Korean
• Published: 31.03.2023
• Subjects: BASIC ELECTRIC ELEMENTS; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; ELECTRICITY; SEMICONDUCTOR DEVICES

Described is a contact over active gate (COAG) structure with a conductive trench contact tab. According to an embodiment, an integrated circuit structure includes a plurality of gate structures on a substrate, each gate structure including a gate insulation layer thereon. In addition, a plurality of conductive trench contact structures alternate with the plurality of gate structures, each conductive trench contact structure including a trench insulation layer thereon. One of the plurality of conductive trench contact structures includes a conductive tab structure protruding through the corresponding trench insulation layer. An interlayer insulation material is placed on the trench insulation layer and the gate insulation layer. Moreover, a conductive structure is in direct contact with one conductive tab structure of the plurality of conductive trench contact structures. 전도성 트렌치 콘택트 탭이 있는 COAG(contact over active gate) 구조물 설명된다. 예에서, 집적 회로 구조물은 기판 위의 복수의 게이트 구조물을 포함하고, 각각의 게이트 구조물은 그 위에 게이트 절연층을 포함한다. 복수의 전도성 트렌치 콘택트 구조물이 복수의 게이트 구조물과 교번하고 있으며, 각각의 전도성 트렌치 콘택트 구조물은 그 위에 트렌치 절연층을 포함한다. 복수의 전도성 트렌치 콘택트 구조물 중 하나는 대응하는 트렌치 절연층을 통해 돌출된 전도성 탭 구조물을 포함한다. 층간 절연 재료는 트렌치 절연층과 게이트 절연층 위에 있다. 전도성 구조물은 복수의 전도성 트렌치 콘택트 구조물 중 하나의 전도성 탭 구조물과 직접 접촉한다.