SEMICONDUCTOR DIE COMPRISING A DEVICE

• Main Authors: TEGEN STEFAN, BLANK OLIVER, FINNEY ADRIAN, FERRARA ALESSANDRO
• Format: Patent
• Language: English; Korean
• Published: 28.03.2023
• Subjects: BASIC ELECTRIC ELEMENTS; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; ELECTRICITY; SEMICONDUCTOR DEVICES

The present invention relates to a semiconductor die (20) comprising a device (1) of an active area of the die (20). The device (1) includes a field electrode area (10) formed in a field electrode trench (7) vertically extending into a semiconductor body (20). The field electrode area (10) includes first and second field electrodes (11 and 12), in which one is vertically stacked on the other, in the field electrode trench (7), and an edge end structure (22) laterally interposed between a side surface edge area (23) of the die (20) and the active area (21). The edge end structure (22) includes first and second shielding electrodes (31), which are continuously and laterally disposed between the active area (21) and the side surface edge area (23) to gradually reduce potential between the edge area (23) and the active area (21). 본 출원은 다이(20)의 활성 영역의 디바이스(1)를 포함하는 반도체 다이(20)에 관한 것으로서, 디바이스(1)는 반도체 본체(20) 내로 수직방향으로 연장하는 필드 전극 트렌치(7)에 형성된 필드 전극 영역(10)을 포함하고, 필드 전극 영역(10)은 필드 전극 트렌치(7)에서 수직방향으로 서로 위에 적층된 제1 및 제2 필드 전극(11, 12)과, 다이(20)의 측면 에지 영역(23)와 활성 영역(21) 사이에 측방향으로 있는 에지 종단 구조물(22)을 포함하고, 에지 종단 구조물(22)은 활성 영역(21)과 측면 에지 영역(23) 사이에 측방향으로 연속적으로 배열되어 에지 영역(23)과 활성 영역(21) 사이의 전위를 단계적으로 감소시는 제1 및 제2 차폐 전극(31)을 포함한다.