Image sensor

• Main Authors: PARK JONGEUN, PARK HAEYONG, CHOI SUNGSOO
• Format: Patent
• Language: English; Korean
• Published: 24.03.2023
• Subjects: BASIC ELECTRIC ELEMENTS; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; ELECTRICITY; SEMICONDUCTOR DEVICES

An image sensor comprises: a substrate having first and second surfaces opposite each other, wherein the substrate includes first and second pixels adjacent to each other; a device isolation part disposed in the substrate and isolating the first and second pixels from each other; transfer gates disposed on first surfaces of the first and second pixels, respectively; a ground region selectively disposed in one of the first and second pixels; and a first color filter and a micro lens array layer sequentially stacked on the second surface. The deep device isolation part includes first and second isolation portions vertically overlapping and spaced apart from each other. The first isolation portion includes a first conductive pattern extending from the first surface toward the second surface, a high-concentration doped pattern on the first conductive pattern, and an insulating pattern between the first conductive pattern and the high-concentration doped pattern. The ground region and high-concentration doped pattern are doped with impurities of the same conductivity type. According to the present invention, a positive charge may be transferred through a high-concentration doped pattern of a first isolation pattern. 이미지 센서는 제1 면과 이에 반대되는 제2 면을 가지는 기판, 상기 기판은 제1 픽셀 및 상기 제1 픽셀과 인접하는 제2 픽셀을 포함한다. 상기 기판 내에 배치되며 상기 제1 픽셀 및 상기 제2 픽셀을 분리하는 깊은 소자분리부, 상기 제1 픽셀 및 상기 제2 픽셀에서 각각 상기 제1 면 상에 배치되는 전송 게이트, 상기 제1 픽셀 및 상기 제2 픽셀 중 어느 하나에 선택적으로 배치되는 접지 영역, 상기 제2 면 상에 차례로 적층되는 제1 컬러필터와 마이크로 렌즈 어레이 층을 포함한다. 상기 깊은 소자분리부는 수직으로 중첩하되, 서로 이격하는 제1 분리부 및 제2 분리부를 포함한다. 상기 제1 분리부는 상기 제1 면으로부터 상기 제2 면으로 연장되는 제1 도전 패턴, 상기 제1 도전 패턴 상의 고농도 도핑 패턴, 및 상기 제1 도전 패턴과 상기 고농도 도핑 패턴 사이의 절연 패턴을 포함한다. 상기 접지 영역 및 상기 고농도 도핑 패턴은 서로 동일한 도전형의 불순물로 도핑된다.