에칭 방법 및 에칭 장치

• Main Authors: SEINO TAKUYA, SHINDO NAOKI, YOU GEN, OKABE NORIAKI
• Format: Patent
• Language: Korean
• Published: 22.03.2023
• Subjects: BASIC ELECTRIC ELEMENTS; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; ELECTRICITY; SEMICONDUCTOR DEVICES

에칭 방법은, 준비 공정과, 제거 공정을 포함한다. 준비 공정에서는, 제1 막, 제1 막 상에 적층된 제2 막, 및, 제2 막 상에 적층된 하드 마스크를 갖는 기판이며, 패턴이 형성된 하드 마스크를 마스크로 하여, 제1 막이 노출될 때까지 제2 막이 에칭된 기판이 준비된다. 제거 공정에서는, 불소 함유 가스를 사용하여, 하드 마스크가 제거된다. 또한, 제거 공정은, 불소 함유 가스의 공급이 개시되고 나서 하드 마스크의 에칭이 시작될 때까지의 제1 시간보다 길고, 또한, 불소 함유 가스의 공급이 개시되고 나서 제1 막의 에칭이 시작될 때까지의 제2 시간보다 짧은 시간 실행된다. An etching method includes a preparing step and a removing step. In the preparing step, a substrate is prepared which includes a first film, a second film stacked on the first film, and a hard mask stacked on the second film, such that the second film is etched with the hard mask having a formed pattern as a mask until the first film is exposed. In the removing step, the hard mask is removed using a fluorine-containing gas. Further, the removing step is executed for a time longer than a first time from a start of a supply of the fluorine-containing gas to a start of an etching of the hard mask, and shorter than a second time from the start of the supply of the fluorine-containing gas to a start of an etching of the first film.