패턴화 기판, 발광 다이오드 및 제조방법
패턴화 기판, 발광 다이오드 및 제조방법에 있어서, 패턴화 기판은 기판 및 기판 표면에 형성되고 주기적으로 밀접하게 배열된 복수의 패턴 구조를 포함하고, 패턴 구조는 기판 표면에 형성된 제1 부분 및 제1 부분 상방에 형성된 제2 부분을 포함하고, 인접한 패턴 구조 사이의 최소 거리는 0.1㎛ 이하이다. 이에 따라, 상기 패턴화 기판 및 발광 다이오드는 에피택셜 표면의 면적 및 전위 밀도를 효과적으로 감소시킬 수 있고, 발광 효율을 높이고, 광 산란 효율을 더 향상시키고, LED의 휘도를 증가시킨다. A patterned subst...
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Format | Patent |
Language | Korean |
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21.03.2023
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Summary: | 패턴화 기판, 발광 다이오드 및 제조방법에 있어서, 패턴화 기판은 기판 및 기판 표면에 형성되고 주기적으로 밀접하게 배열된 복수의 패턴 구조를 포함하고, 패턴 구조는 기판 표면에 형성된 제1 부분 및 제1 부분 상방에 형성된 제2 부분을 포함하고, 인접한 패턴 구조 사이의 최소 거리는 0.1㎛ 이하이다. 이에 따라, 상기 패턴화 기판 및 발광 다이오드는 에피택셜 표면의 면적 및 전위 밀도를 효과적으로 감소시킬 수 있고, 발광 효율을 높이고, 광 산란 효율을 더 향상시키고, LED의 휘도를 증가시킨다.
A patterned substrate includes a substrate body having a surface and a plurality of patterned structures periodically arranged on the surface of the substrate body, where each of the patterned structures includes a first portion formed on the surface of the substrate body, and a second portion formed on the first portion, and where any two adjacent ones of the patterned structures are spaced apart from one another by a minimum distance of not greater than 0.1 μm. A light-emitting diode includes the patterned substrate and a semiconductor epitaxial structure formed thereon. A process for preparing the patterned substrate and a process for preparing the light-emitting diode are also disclosed. |
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Bibliography: | Application Number: KR20237005706 |