알콕시드 화합물, 박막 형성용 원료 및 박막의 제조 방법

본 발명은, 하기 일반식 (1) 로 나타내는 알콕시드 화합물, 그 화합물을 포함하는 박막 형성용 재료 및 박막의 제조 방법을 제공한다. TIFFpct00024.tif3672 (식 중, R1 및 R2 는, 각각, 독립적으로, 수소 원자, 탄소 원자수 1 ∼ 5 의 알킬기, 또는 탄소 원자수 1 ∼ 5 의 불소 원자 함유 알킬기를 나타내고, R3 및 R4 는, 각각, 독립적으로, 탄소 원자수 1 ∼ 5 의 알킬기, 또는 탄소 원자수 1 ∼ 5 의 불소 원자 함유 알킬기를 나타내고, R5 는 수소 원자, 불소 원자를 함유하는 기 또는 탄...

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Main Authors SAKURAI ATSUSHI, HATASE MASAKO, OKADA NANA, FUKUSHIMA RYOTA
Format Patent
LanguageKorean
Published 16.03.2023
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Summary:본 발명은, 하기 일반식 (1) 로 나타내는 알콕시드 화합물, 그 화합물을 포함하는 박막 형성용 재료 및 박막의 제조 방법을 제공한다. TIFFpct00024.tif3672 (식 중, R1 및 R2 는, 각각, 독립적으로, 수소 원자, 탄소 원자수 1 ∼ 5 의 알킬기, 또는 탄소 원자수 1 ∼ 5 의 불소 원자 함유 알킬기를 나타내고, R3 및 R4 는, 각각, 독립적으로, 탄소 원자수 1 ∼ 5 의 알킬기, 또는 탄소 원자수 1 ∼ 5 의 불소 원자 함유 알킬기를 나타내고, R5 는 수소 원자, 불소 원자를 함유하는 기 또는 탄소 원자수 1 ∼ 5 의 알킬기를 나타내고, R6 은 불소 원자를 함유하는 기를 나타내고, M 은, 금속 원자 또는 반금속 원자를 나타내고, n 은, M 으로 나타내는 원자의 가수를 나타낸다. 단, M 이 구리 원자인 경우, R3 및 R4 는, 각각, 독립적으로, 탄소 원자수 1 ∼ 2 의 알킬기를 나타내고, R5 는 수소 원자를 나타낸다.) The present invention provides an alkoxide compound represented by the following general formula (1), a thin-film forming raw material containing the compound, and a method of producing a thin-film:where R1 and R2 each independently represent a hydrogen atom, an alkyl group having 1 to 5 carbon atoms, or a fluorine atom-containing alkyl group having 1 to 5 carbon atoms, R3 and R4 each independently represent an alkyl group having 1 to 5 carbon atoms, or a fluorine atom-containing alkyl group having 1 to 5 carbon atoms, R5 represents a hydrogen atom, a fluorine atom-containing group, or an alkyl group having 1 to 5 carbon atoms, R6 represents a fluorine atom-containing group, M represents a metal atom or a semimetal atom, and "n" represents the valence of the atom represented by M, provided that when M represents a copper atom, R3 and R4 each independently represent an alkyl group having 1 or 2 carbon atoms, and R5 represents a hydrogen atom.
Bibliography:Application Number: KR20237002871