SPATIALLY TUNABLE DEPOSITION TO COMPENSATE WITHIN WAFER DIFFERENTIAL BOW

웨이퍼의 하측 표면 상에 막을 증착하기 위한 플라즈마 프로세싱 챔버는 샤워헤드 페데스탈을 포함한다. 샤워헤드 페데스탈은 제 1 존 및 제 2 존을 포함한다. 상부 분리 핀은 샤워헤드 페데스탈의 상단 표면 위에 배치되고 하부 분리 핀은 샤워헤드 페데스탈의 상단 표면 아래에 배치되고 상부 분리 핀과 정렬된다. 제 1 존은 웨이퍼의 하측 표면에 제 1 막을 증착하기 위해 구성되고 제 2 존은 웨이퍼의 하측 표면에 제 2 막을 증착하기 위해 구성된다. 또 다른 실시 예에서, 샤워헤드 페데스탈의 상단 표면은 상부 분리 핀 대신 마스킹 플레이...

Full description

Saved in:
Bibliographic Details
Main Authors LEE JAMES F, YIN XIN, WILLIAMS BRIAN JOSEPH, SHAIKH FAYAZ A, VINTILA ADRIANA, MUDROW MATTHEW, LINEBARGER NICK RAY JR
Format Patent
LanguageEnglish
Korean
Published 15.03.2023
Subjects
Online AccessGet full text

Cover

Loading…
More Information
Summary:웨이퍼의 하측 표면 상에 막을 증착하기 위한 플라즈마 프로세싱 챔버는 샤워헤드 페데스탈을 포함한다. 샤워헤드 페데스탈은 제 1 존 및 제 2 존을 포함한다. 상부 분리 핀은 샤워헤드 페데스탈의 상단 표면 위에 배치되고 하부 분리 핀은 샤워헤드 페데스탈의 상단 표면 아래에 배치되고 상부 분리 핀과 정렬된다. 제 1 존은 웨이퍼의 하측 표면에 제 1 막을 증착하기 위해 구성되고 제 2 존은 웨이퍼의 하측 표면에 제 2 막을 증착하기 위해 구성된다. 또 다른 실시 예에서, 샤워헤드 페데스탈의 상단 표면은 상부 분리 핀 대신 마스킹 플레이트를 수용하도록 구성될 수도 있다. 마스킹 플레이트는 개구부들을 갖는 제 1 영역 및 마스킹되는 제 2 영역으로 구성된다. 제 1 영역들은 막을 증착하기 위해 웨이퍼의 하측 표면의 일부에 프로세스 가스를 제공하도록 사용된다. A plasma processing chamber for depositing a film on an underside surface of a wafer, includes a showerhead pedestal. The showerhead pedestal includes a first zone and a second zone. The first zone is configured for depositing a first film to the underside surface of the wafer and the second zone is configured for depositing a second film to the underside surface of the wafer.
Bibliography:Application Number: KR20237006864