GAS SEPARATION CONTROL IN SPATIAL ATOMIC LAYER DEPOSITION
공간적인 원자 층 증착을 위한 장치 및 방법들은 적어도 하나의 제 1 배기 시스템 및 적어도 하나의 제 2 배기 시스템을 포함한다. 각각의 배기 시스템은, 개별적인 배기 시스템과 연관된 프로세싱 영역에서의 압력을 제어하기 위해 압력 게이지 및 스로틀 밸브를 포함한다. Apparatus and methods for spatial atomic layer deposition including at least one first exhaust system and at least one second exhaust system. Each exh...
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Format | Patent |
Language | English Korean |
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14.03.2023
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Summary: | 공간적인 원자 층 증착을 위한 장치 및 방법들은 적어도 하나의 제 1 배기 시스템 및 적어도 하나의 제 2 배기 시스템을 포함한다. 각각의 배기 시스템은, 개별적인 배기 시스템과 연관된 프로세싱 영역에서의 압력을 제어하기 위해 압력 게이지 및 스로틀 밸브를 포함한다.
Apparatus and methods for spatial atomic layer deposition including at least one first exhaust system and at least one second exhaust system. Each exhaust system including a throttle valve and a pressure gauge to control the pressure in the processing region associated with the individual exhaust system. |
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Bibliography: | Application Number: KR20237007474 |