VI족 전구체 화합물

본 발명은 고체 기판, 특히 마이크로전자 반도체 장치 기판 상에의 특정 VI족 금속의 증착에 유용한, 하기 화학식 (I)로 제시된 다양한 VI족 전구체 화합물의 용이한 제조 방법을 제공한다.  또한, 이러한 전구체 화합물의 제조 방법이 제공된다. 추가로, 본 발명은 본 발명의 전구체 화합물을 활용하여 마이크로전자 장치 기판 상에 VI족 금속을 증착시키는 방법을 제공한다. The invention provides a facile process for preparing various Group VI precursor compounds,...

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Main Authors ERMERT DAVID M, BAUM THOMAS H
Format Patent
LanguageKorean
Published 08.03.2023
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Summary:본 발명은 고체 기판, 특히 마이크로전자 반도체 장치 기판 상에의 특정 VI족 금속의 증착에 유용한, 하기 화학식 (I)로 제시된 다양한 VI족 전구체 화합물의 용이한 제조 방법을 제공한다.  또한, 이러한 전구체 화합물의 제조 방법이 제공된다. 추가로, 본 발명은 본 발명의 전구체 화합물을 활용하여 마이크로전자 장치 기판 상에 VI족 금속을 증착시키는 방법을 제공한다. The invention provides a facile process for preparing various Group VI precursor compounds, set forth below as Formula (I), useful in the vapor deposition of certain Group VI metals onto solid substrates, especially microelectronic semiconductor device substrates. Also provided is a process for the preparation of such precursor compounds. Additionally, the invention provides a method for vapor deposition of Group VI metals onto microelectronic device substrates utilizing the precursor compounds of the invention.
Bibliography:Application Number: KR20237003863