Semiconductor device and method for manufacturing the same

• Main Authors: KIM DONGMYOUNG, YOO JIHO, KO KI HYUNG, YU HAEJUN, JUNG SOONWOOK, CHOI KYUNGIN
• Format: Patent
• Language: English; Korean
• Published: 08.03.2023
• Subjects: BASIC ELECTRIC ELEMENTS; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; ELECTRICITY; SEMICONDUCTOR DEVICES

The present invention relates to a semiconductor device and a method for manufacturing the same. The semiconductor device comprises: an active pattern on a substrate; a source/drain pattern on the active pattern; a channel pattern connected to the source/drain pattern; a gate electrode extending in a first direction across the channel pattern; and a first spacer on a sidewall of the gate electrode. The first spacer includes a fence part on the sidewall of the active pattern below the source/drain pattern, and the source/drain pattern includes a body part and a neck part between the body part and the active pattern. The body part includes a crystal surface extending obliquely from the neck part, and the crystal surface is spaced apart from an uppermost portion of the fence part. Therefore, high reliability can be secured by preventing a process defect. 본 발명은 반도체 소자 및 그의 제조 방법에 관한 것으로, 더욱 상세하게는, 기판 상의 활성 패턴; 상기 활성 패턴 상의 소스/드레인 패턴; 상기 소스/드레인 패턴에 연결되는 채널 패턴; 상기 채널 패턴을 가로지르며 제1 방향으로 연장되는 게이트 전극; 및 상기 게이트 전극의 측벽 상의 제1 스페이서를 포함한다. 상기 제1 스페이서는, 상기 소스/드레인 패턴 아래의 상기 활성 패턴의 측벽 상의 펜스부를 포함하고, 상기 소스/드레인 패턴은, 몸체부 및 상기 몸체부와 상기 활성 패턴 사이의 목 부분을 포함하고, 상기 몸체부는 상기 목 부분으로부터 비스듬하게 연장되는 결정면을 포함하며, 상기 결정면은 상기 펜스부의 최상부로부터 이격된다.