슬릿 밸브 터널에서 퍼지 가스의 가스 커튼을 생성하는 방법 및 슬릿 밸브 터널

• Main Authors: FELDMANN MARCO, MOOS PATRICK
• Format: Patent
• Language: Korean
• Published: 07.03.2023
• Subjects: ACTUATING-FLOATS; BASIC ELECTRIC ELEMENTS; BLASTING; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; CHEMISTRY; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATIONOR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY IONIMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; COATING METALLIC MATERIAL; COCKS; DEVICES FOR VENTING OR AERATING; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; ELECTRICITY; ENGINEERING ELEMENTS AND UNITS; GENERAL MEASURES FOR PRODUCING AND MAINTAINING EFFECTIVEFUNCTIONING OF MACHINES OR INSTALLATIONS; HEATING; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION INGENERAL; LIGHTING; MECHANICAL ENGINEERING; METALLURGY; SEMICONDUCTOR DEVICES; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THESURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; TAPS; THERMAL INSULATION IN GENERAL; VALVES; WEAPONS

본 발명은 반도체 웨이퍼를 처리하는 장치의 슬릿 밸브 터널에서 퍼지 가스의 가스 커튼을 생성하는 방법과, 슬릿 밸브 터널에 관한 것이다. 본 발명에 따른 방법은, 슬릿 밸브 터널의 상측 부분에 배치되고 탈착식 커버로 덮이는 채널의 두 단부로 퍼지 가스를 안내하는 단계와, 반도체 웨이퍼가 슬릿 밸브 터널의 상측 부분과 하측 부분 사이에 있는 관통-개구를 통해 이송되는 동안, 채널의 하측에 있는 슬릿을 통해 슬릿 밸브 터널의 하측 부분으로 퍼지 가스를 가스 커튼으로서 안내하는 단계를 포함한다. Contamination of semico...