슬릿 밸브 터널에서 퍼지 가스의 가스 커튼을 생성하는 방법 및 슬릿 밸브 터널

• Main Authors: FELDMANN MARCO, MOOS PATRICK
• Format: Patent
• Language: Korean
• Published: 07.03.2023
• Subjects: ACTUATING-FLOATS; BASIC ELECTRIC ELEMENTS; BLASTING; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; CHEMISTRY; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATIONOR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY IONIMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; COATING METALLIC MATERIAL; COCKS; DEVICES FOR VENTING OR AERATING; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; ELECTRICITY; ENGINEERING ELEMENTS AND UNITS; GENERAL MEASURES FOR PRODUCING AND MAINTAINING EFFECTIVEFUNCTIONING OF MACHINES OR INSTALLATIONS; HEATING; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION INGENERAL; LIGHTING; MECHANICAL ENGINEERING; METALLURGY; SEMICONDUCTOR DEVICES; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THESURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; TAPS; THERMAL INSULATION IN GENERAL; VALVES; WEAPONS

본 발명은 반도체 웨이퍼를 처리하는 장치의 슬릿 밸브 터널에서 퍼지 가스의 가스 커튼을 생성하는 방법과, 슬릿 밸브 터널에 관한 것이다. 본 발명에 따른 방법은, 슬릿 밸브 터널의 상측 부분에 배치되고 탈착식 커버로 덮이는 채널의 두 단부로 퍼지 가스를 안내하는 단계와, 반도체 웨이퍼가 슬릿 밸브 터널의 상측 부분과 하측 부분 사이에 있는 관통-개구를 통해 이송되는 동안, 채널의 하측에 있는 슬릿을 통해 슬릿 밸브 터널의 하측 부분으로 퍼지 가스를 가스 커튼으로서 안내하는 단계를 포함한다. Contamination of semiconductor wafers during coating and other operations is mitigated by passing the wafer through a tunnel with a slit providing a gas curtain which impinges upon the wafer as the wafer is transported from one station to the next station in the processing apparatus.