Manifolds for uniform vapor deposition

• Main Authors: TERHORST HERBERT, MARQUARDT DAVID, SHERO ERIC JAMES, YEDNAK ANDREW MICHAEL III
• Format: Patent
• Language: English; Korean
• Published: 07.03.2023
• Subjects: BASIC ELECTRIC ELEMENTS; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; CHEMISTRY; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATIONOR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY IONIMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; COATING METALLIC MATERIAL; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; ELECTRICITY; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION INGENERAL; METALLURGY; SEMICONDUCTOR DEVICES; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THESURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION

Disclosed is a semiconductor device comprising a manifold for uniform vapor deposition. The semiconductor device can include a manifold comprising a bore and having an inner wall. The inner wall can at least partially define the bore. A first axial portion of the bore can extend along a longitudinal axis of the manifold. A supply channel can provide fluid communication between a gas source and the bore. The supply channel can comprise a slit defining an at least partially annular gap through the inner wall of the manifold to deliver a gas from the gas source to the bore. The at least partially annular gap can be revolved about the longitudinal axis. 균일한 기상 퇴적을 위한 매니폴드를 포함하는 반도체 장치가 개시된다. 상기 반도체 장치는 보어를 포함하고, 내벽을 갖는 매니폴드를 포함할 수 있다. 상기 내벽은 상기 보어를 적어도 부분적으로 정의할 수 있다. 상기 보어의 제1 축 부분은 상기 매니폴드의 종축을 따라 연장될 수 있다. 공급 채널은 가스 소스 및 상기 보어 사이의 유체 연통을 제공할 수 있다. 상기 공급 채널은 상기 가스 소스로부터 상기 보어까지 가스를 전달하도록 상기 매니폴드의 상기 내벽을 통해 적어도 부분적으로 환형인 갭을 정의하는 슬릿을 포함할 수 있다. 상기 적어도 부분적으로 환형인 갭은 상기 종축에 대하여 회전될 수 있다.