연마입자의 제조방법, 화학기계 연마용 조성물 및 화학기계 연마방법
실리콘 산화막뿐만 아니라 비정질 실리콘막이나 폴리실리콘막에 대해서도 실리콘 질화막을 선택적으로 연마하기 위한 연마입자이나 화학기계 연마용 조성물을 제공한다. 본 발명에 관한 연마입자의 제조방법은 설파닐기(-SH)가 공유결합을 통해 표면에 고정화된 입자와, 탄소-탄소 불포화 이중 결합을 갖는 화합물을 함유하는 혼합물을 가열하는 제1 공정과, 상기 제1 공정 후, 과산화물을 더 첨가하여 가열하는 제2 공정을 포함한다. Provided are abrasive grains and a composition for chemical mechan...
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Format | Patent |
Language | Korean |
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03.03.2023
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Summary: | 실리콘 산화막뿐만 아니라 비정질 실리콘막이나 폴리실리콘막에 대해서도 실리콘 질화막을 선택적으로 연마하기 위한 연마입자이나 화학기계 연마용 조성물을 제공한다. 본 발명에 관한 연마입자의 제조방법은 설파닐기(-SH)가 공유결합을 통해 표면에 고정화된 입자와, 탄소-탄소 불포화 이중 결합을 갖는 화합물을 함유하는 혼합물을 가열하는 제1 공정과, 상기 제1 공정 후, 과산화물을 더 첨가하여 가열하는 제2 공정을 포함한다.
Provided are abrasive grains and a composition for chemical mechanical polishing which are for selectively polishing a silicon nitride film, and which are applicable not only to silicon oxide films but also to amorphous silicon films and polysilicon films. This method for manufacturing abrasive grains includes: a first step of heating a mixture which contains particles having a sulfanyl group (-SH) fixed to the surface thereof via covalent bonds, and which contains a compound having carbon-carbon unsaturated double bonds; and a second step, which is performed after the first step, of further adding a peroxide and carrying out heating. |
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Bibliography: | Application Number: KR20227042856 |