ALE - ALE Batch-type apparatus for ALEAtomic Layer Etching and ALE method and semiconductor manufacturing method based on the same apparatus

• Main Authors: JUNG HYUNG SUK, PARK JUNG MIN, LIM HAN JIN, KIM YOUN SOO, MOON SUN MIN
• Format: Patent
• Language: English; Korean
• Published: 03.03.2023
• Subjects: BASIC ELECTRIC ELEMENTS; ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; ELECTRICITY; SEMICONDUCTOR DEVICES

The technical idea of the present invention is to provide a batch-type device for ALE capable of ALE processing multiple wafers simultaneously, and an ALE method and semiconductor device manufacturing method based on the device. The batch-type device for ALE comprises: a wafer stacking container in which a plurality of wafers are arranged in a vertical direction; an inner tube having the shape of a cylindrical tube extending in the vertical direction, into which the wafer stacking container is inserted and disposed; a plurality of nozzles disposed in a first outer portion of the inner tube in the horizontal direction, extending in the vertical direction, and supplying gas to the plurality of wafers; and a heater surrounding the inner tube and controlling the temperature within the inner tube. Gas injection is formed at each of the plurality of nozzles corresponding to the height of the plurality of wafers, and a gas outlet is formed in the inner tube of a second outer portion opposite to the first outer portion in the horizontal direction. 본 발명의 기술적 사상은, 여러 장의 웨이퍼를 동시에 ALE 처리할 수 있는 ALE용 배치-타입 장치, 및 그 장치에 기반한 ALE 방법과 반도체 소자 제조방법을 제공한다. 그 ALE용 배치-타입 장치는 수직 방향으로 복수의 웨이퍼들이 배치된 웨이퍼 적층 용기; 상기 수직 방향으로 확장하는 원기둥 튜브의 형태를 가지며, 내부에 상기 웨이퍼 적층 용기가 삽입되어 배치되는 내부 튜브; 수평 방향으로 상기 내부 튜브 내의 제1 외곽 부분에 배치되고, 상기 수직 방향으로 확장하며, 상기 복수의 웨이퍼들로 가스를 공급하는 복수의 노즐들; 및 상기 내부 튜브를 둘러싸고 내부 튜브 내의 온도를 조절하는 히터;를 포함하고, 상기 복수의 노즐들 각각에 상기 복수의 웨이퍼들의 높이에 대응하여 가스 분사 이 형성되며, 상기 수평 방향으로 상기 제1 외곽 부분과 반대되는 제2 외곽 부분의 상기 내부 튜브에 가스 배출구가 형성된다.