SEMICONDUCTOR DEVICES

• Main Authors: PARK YEON HO, LEE JIN SEOK, PARK JUN MO
• Format: Patent
• Language: English; Korean
• Published: 28.02.2023
• Subjects: BASIC ELECTRIC ELEMENTS; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; ELECTRICITY; SEMICONDUCTOR DEVICES

The present invention relates to a semiconductor device to provide increased reliability and design freedom. According to an embodiment of the present invention, the semiconductor device comprises: a substrate including first and second regions; active regions extending in a first direction on the substrate; a gate electrode disposed on each of the first and second regions and extending in a second direction to intersect the active regions; source/drain regions disposed in recessed regions of the active regions on both sides of the gate electrode; a first dam structure disposed between adjacent active regions in the second direction on the first region and disposed to partially separate the gate electrode; and a second dam structure disposed between the adjacent active regions in the second direction on the second region and disposed to separate the entire gate electrode. In a third direction perpendicular to the upper surface of the substrate, the upper surface of the first dam structure is located at a first level and the upper surface of the gate electrode is located at a second level higher than the first level. 본 발명의 실시예에 따른 반도체 소자는, 제1 및 제2 영역들을 갖는 기판, 상기 기판 상에서 제1 방향으로 연장되는 활성 영역들, 상기 제1 및 제2 영역들 상에 각각 배치되며, 상기 활성 영역들과 교차하여 제2 방향으로 연장되는 게이트 전극, 상기 게이트 전극의 양측에서 상기 활성 영역들이 리세스된 영역들에 배치되는 소스/드레인 영역들, 상기 제1 영역 상에서 상기 제2 방향을 따라 인접하는 상기 활성 영역들의 사이에 배치되며, 상기 게이트 전극을 일부 분리하도록 배치되는 제1 댐(dam) 구조물, 및 상기 제2 영역 상에서 상기 제2 방향을 따라 인접하는 상기 활성 영역들의 사이에 배치되며, 상기 게이트 전극 전체를 분리하도록 배치되는 제2 댐 구조물을 포함하고, 상기 기판의 상면에 수직한 제3 방향에서, 상기 제1 댐 구조물의 상면은 제1 레벨에 위치하고, 상기 게이트 전극의 상면은 상기 제1 레벨보다 높은 제2 레벨에 위치한다.