발광 디바이스, 기능 패널, 발광 장치, 표시 장치, 전자 기기, 조명 장치

• Main Authors: OHSAWA NOBUHARU, UEDA AIRI, KAWANO YUTA, SEO SATOSHI, WATABE TAKEYOSHI
• Format: Patent
• Language: Korean
• Published: 27.02.2023
• Subjects: ELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHTING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; ELECTRICITY

편의성, 유용성, 또는 신뢰성이 우수한 신규 발광 디바이스를 제공한다. 제 1 전극과, 제 2 전극과, 유닛과, 제 1 층을 포함하는 발광 디바이스이고, 유닛은 제 1 전극과 제 2 전극 사이에 끼워지고, 제 2 층, 제 3 층, 및 제 4 층을 포함한다. 제 2 층은 제 3 층과 제 4 층 사이에 끼워지고, 발광성 재료를 포함한다. 제 3 층은 제 2 층과 제 2 전극 사이에 끼워지고, 제 2 층과 접하고, 제 1 재료 및 알칼리 금속의 유기 금속 착체 또는 알칼리 토금속의 유기 금속 착체를 포함한다. 제 4 층은 제 1 전극과 제 2 층 사이에 끼워지고, 제 2 재료를 포함한다. 또한 제 1 층은 제 1 전극과 유닛 사이에 끼워지고, 제 2 재료 및 전자 억셉터성을 갖는 재료를 포함한다. 제 2 재료는 제 1 굴절률을 갖고, 제 1 굴절률은 파장 455nm 이상 465nm 이하의 범위에서 1.5 이상 1.75 이하이고, 제 2 재료는 HOMO 준위를 갖고, HOMO 준위는 -5.7eV 이상 -5.3eV 이하이다. A novel light-emitting device that is highly convenient, useful, or reliable is provided. The light-emitting device includes a first electrode, a second electrode, a unit, and a first layer. The unit is positioned between the first electrode and the second electrode and includes a second layer, a third layer, and a fourth layer. The second layer is positioned between the third layer and the fourth layer and contains a light-emitting material. The third layer is positioned between the second layer and the second electrode, is in contact with the second layer, and contains a first material, and an organometallic complex of an alkali metal or an organometallic complex of an alkaline earth metal. The fourth layer is positioned between the first electrode and the second layer and contains a second material. The first layer is positioned between the first electrode and the unit and contains a second material and a material having an electron acceptor property. The second material has a first refractive index. The first refractive index is higher than or equal to 1.5 and lower than or equal to 1.75 in a wavelength range of 455 nm to 465 nm inclusive. The second material has a HOMO level. The HOMO level is higher than or equal to −5.7 eV and lower than or equal to −5.3 eV.