텅스텐 함유 막 제거를 위한 시스템들 및 방법들

• Main Authors: REDDY ROHAN PULIGORU, WANG ANCHUAN, CUI ZHENJIANG
• Format: Patent
• Language: Korean
• Published: 21.02.2023
• Subjects: BASIC ELECTRIC ELEMENTS; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; ELECTRICITY; SEMICONDUCTOR DEVICES

예시적인 식각 방법들은, 플라즈마 유출물들을 생성하기 위해 플라즈마를 타격하면서 할로겐 함유 전구체를 반도체 처리 챔버의 원격 플라즈마 영역 내로 유동시키는 단계를 포함할 수 있다. 방법들은 처리 영역에 수납된 기판을 플라즈마 유출물들과 접촉시키는 단계를 포함할 수 있다. 기판은 산화텅스텐의 노출된 영역을 한정할 수 있다. 접촉은 텅스텐 옥시플루오라이드 물질을 생성할 수 있다. 방법들은 식각제 전구체를 처리 영역 내로 유동시키는 단계를 포함할 수 있다. 방법들은 텅스텐 옥시플루오라이드 물질을 식각제 전구체와 접촉시키는 단계를 포함할 수 있다. 방법들은 텅스텐 옥시플루오라이드 물질을 제거하는 단계를 포함할 수 있다. Exemplary etching methods may include flowing a halogen-containing precursor into a remote plasma region of a semiconductor processing chamber while striking a plasma to produce plasma effluents. The methods may include contacting a substrate housed in a processing region with the plasma effluents. The substrate may define an exposed region of tungsten oxide. The contacting may produce a tungsten oxy-fluoride material. The methods may include flowing an etchant precursor into the processing region. The methods may include contacting the tungsten oxy-fluoride material with the etchant precursor. The methods may include removing the tungsten oxy-fluoride material.