Thin film transistor array substrate organic light-emitting display apparatus and manufacturing of the thin film transistor array substrate
An embodiment of the present invention provides an organic light emitting display device which includes: a substrate; a first transistor including a first source electrode, a first drain electrode, a first active layer including an oxide active layer, and a first gate electrode disposed on the subst...
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Format | Patent |
Language | English Korean |
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10.02.2023
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Summary: | An embodiment of the present invention provides an organic light emitting display device which includes: a substrate; a first transistor including a first source electrode, a first drain electrode, a first active layer including an oxide active layer, and a first gate electrode disposed on the substrate with the oxide active layer interposed therebetween; a second transistor including a second source electrode and a second drain electrode formed of the same material on the same layer as the first source electrode and the first drain electrode, a silicon active layer, and a second gate electrode disposed on the substrate with the silicon active layer interposed therebetween; and a light emitting element including a pixel electrode, an intermediate layer, and a counter electrode. The oxide active layer serves as the channel region of the first transistor. The silicon active layer serves as the channel region of the second transistor. The present invention can provide the light emitting display device having excellent device characteristics and display quality.
본 발명의 일 실시예는 기판; 제1 소스 전극, 제1 드레인 전극, 산화물 활성층을 포함하는 제1 활성층, 및 상기 산화물 활성층을 사이에 두고 상기 기판 상에 배치된 제1 게이트 전극을 포함하는 제1 트랜지스터; 상기 제1 소스 전극 및 상기 제1 드레인 전극과 동일 층상에 동일 재료로 형성된 제2 소스 전극 및 제2 드레인 전극, 실리콘 활성층, 및 상기 실리콘 활성층을 사이에 두고 상기 기판 상에 배치된 제2 게이트 전극을 포함하는 제2 트랜지스터; 및 화소 전극, 중간층 및 대향 전극을 포함하는 발광 소자를 포함하고, 상기 산화물 활성층은 상기 제1 트랜지스터의 채널 영역으로 작용하고, 상기 실리콘 활성층은 상기 제2 트랜지스터의 채널 영역으로 작용하는 유기 발광 표시 장치를 제공한다. |
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Bibliography: | Application Number: KR20230008679 |