APPARATUS AND METHOD FOR PROGRAMMING DATA IN A NON-VOLATILE MEMORY DEVICE

• Main Authors: PARK TAE HUN, KWAK DONG HUN
• Format: Patent
• Language: English; Korean
• Published: 06.02.2023
• Subjects: INFORMATION STORAGE; PHYSICS; STATIC STORES

The present invention provides a memory device, which comprises: a memory structure which includes one or more non-volatile memory cells storing multi-bit data; and a control unit which, during a program operation in which program pulses are applied several times to one of the one or more non-volatile memory cells to program the multi-bit data, verifies the state of the non-volatile memory cell after a first program pulse is applied, determines a program mode having different threshold voltage variations according to the verification result in accordance with a second program pulse to be applied to the non-volatile memory cell, and changes the setup time to adjust the potential of a bit line according to the program mode after the second program pulse is supplied. The memory device can improve the program operation speed. 본 기술은 멀티-비트의 데이터를 저장하는 적어도 하나의 비휘발성 메모리 셀을 포함하는 메모리 구조물; 및 적어도 하나의 비휘발성 메모리 셀 중 하나에 상기 멀티-비트의 데이터를 프로그램하기 위한 프로그램 펄스를 여러 번 인가하는 프로그램 동작 중, 제1 프로그램 펄스를 인가한 후 비휘발성 메모리 셀의 상태를 검증하고, 검증 결과에 따라 비휘발성 메모리 셀에 인가할 제2 프로그램 펄스에 따라 서로 다른 문턱 전압의 변화량을 가지는 프로그램 모드를 결정하며, 제2 프로그램 펄스가 공급된 후 프로그램 모드에 따라 비트 라인의 전위를 조정하는 셋업 시간을 변경하는 제어 장치를 포함하는 메모리 장치를 제공한다.