SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD FOR FABRICATING THE SAME

• Main Authors: TAK YONG SUK, LEE KONG SOO, KIM YU RIM, KIM TEA WON, KIM HYUNG JOON
• Format: Patent
• Language: English; Korean
• Published: 03.02.2023
• Subjects: BASIC ELECTRIC ELEMENTS; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; ELECTRICITY; SEMICONDUCTOR DEVICES

A semiconductor device with improved performance and reliability and a method for manufacturing the same are provided. A semiconductor device comprises: a conductive line extending in a first direction on a substrate; a first oxide semiconductor layer including a first crystalline oxide semiconductor material including a first metal element on the conductive line; a second oxide semiconductor layer on the conductive line, in contact with the first oxide semiconductor layer, and connected to the conductive line; a gate electrode extending in a second direction crossing the first direction at a lateral surface of the second oxide semiconductor layer; and a capacitor structure connected to the second oxide semiconductor layer on the second oxide semiconductor layer and the gate electrode, wherein the second oxide semiconductor layer includes a second crystalline oxide semiconductor material including a first metal element, and a second metal element and a third metal element different from the first metal element. 성능 및 신뢰성이 향상된 반도체 장치 및 그 제조 방법이 제공된다. 반도체 장치는, 기판 상에, 제1 방향으로 연장되는 도전 라인, 도전 라인 상에, 제1 금속 원소를 포함하는 제1 결정성 산화물 반도체 물질을 포함하는 제1 산화물 반도체막, 도전 라인 상에, 제1 산화물 반도체막과 접촉하며, 도전 라인과 접속되는 제2 산화물 반도체막, 제2 산화물 반도체막의 측면 상에, 제1 방향과 교차하는 제2 방향으로 연장되는 게이트 전극, 및 제2 산화물 반도체막 및 게이트 전극 상에, 제2 산화물 반도체막과 접속되는 커패시터 구조체를 포함하되, 제2 산화물 반도체막은, 제1 금속 원소 및 제1 금속 원소와 다른 제2 및 제3 금속 원소를 포함하는 제2 결정성 산화물 반도체 물질을 포함한다.